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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
567641IRF300775V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567642IRF3007L75V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567643IRF3007S75V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567644IRF320Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/350-400 VFairchild Semiconductor
567645IRF3202.Å y 3.Á/350V y 400V/mOSFETs de la energía de 1,8 y 2,5 ohmios/N-CanalIntersil
567646IRF320MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567647IRF320N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 3.0A.General Electric Solid State
567648IRF320-323Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/350-400 VFairchild Semiconductor
567649IRF320555V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567650IRF3205L55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567651IRF3205LPBF55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567652IRF3205PBF55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567653IRF3205S55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567654IRF3205SPBF55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567655IRF3205STRL55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567656IRF3205STRR55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-PakInternational Rectifier
567657IRF3205VPBF55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567658IRF3205Z55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567659IRF3205ZL55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier



567660IRF3205ZLPBF55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262International Rectifier
567661IRF3205ZPBF55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220abInternational Rectifier
567662IRF3205ZS55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2PakInternational Rectifier
567663IRF3205ZSPBF55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2PakInternational Rectifier
567664IRF321Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/350-400 VFairchild Semiconductor
567665IRF3212.Å y 3.Á/350V y 400V/mOSFETs de la energía de 1,8 y 2,5 ohmios/N-CanalIntersil
567666IRF321MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567667IRF321N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 3.0A.General Electric Solid State
567668IRF322Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/350-400 VFairchild Semiconductor
567669IRF3222.Å y 3.Á/350V y 400V/mOSFETs de la energía de 1,8 y 2,5 ohmios/N-CanalIntersil
567670IRF322MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567671IRF322N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A.General Electric Solid State
567672IRF323Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/350-400 VFairchild Semiconductor
567673IRF3232.Å y 3.Á/350V y 400V/mOSFETs de la energía de 1,8 y 2,5 ohmios/N-CanalIntersil
567674IRF323MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567675IRF323N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A.General Electric Solid State
567676IRF330400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âaInternational Rectifier
567677IRF330MOSFETs/5.Ä/350 V/400V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567678IRF330Mosfet De la Energía De 5.Ä/De 400V/1,000 Ohmios/N-CanalIntersil
567679IRF330MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567680IRF330N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5.5A.General Electric Solid State
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