| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 567961 | IRF520NS | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567962 | IRF520NSTRL | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567963 | IRF520NSTRR | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567964 | IRF520PBF | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567965 | IRF520S | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567966 | IRF520STRL | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567967 | IRF520STRR | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567968 | IRF520V | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567969 | IRF520VL | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567970 | IRF520VPBF | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567971 | IRF520VS | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567972 | IRF521 | N - FETs VERTICALES de la ENERGÍA del MODO DMOS del REALCE del CANAL | Supertex Inc |
| 567973 | IRF521 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567974 | IRF5210 | -100V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567975 | IRF5210L | -100V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567976 | IRF5210S | -100V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567977 | IRF5210STRL | -100V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567978 | IRF5210STRR | -100V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567979 | IRF522 | N - FETs VERTICALES de la ENERGÍA del MODO DMOS del REALCE del CANAL | Supertex Inc |
| 567980 | IRF522 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567981 | IRF523 | N - FETs VERTICALES de la ENERGÍA del MODO DMOS del REALCE del CANAL | Supertex Inc |
| 567982 | IRF523 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567983 | IRF530 | 1Â, 100V, 0,160 Ohmios, MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567984 | IRF530 | N-canal 100V - 0,115 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA Del 1Â To-220 | ST Microelectronics |
| 567985 | IRF530 | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567986 | IRF530 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 567987 | IRF530 | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
| 567988 | IRF530 | TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO de la ENERGÍA de la PUERTA de SILICIO Del Realce-modo Del N-canal TMOS | Motorola |
| 567989 | IRF530 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567990 | IRF530 | PUERTA de SILICIO Del Realce-modo Del N-canal | TRSYS |
| 567991 | IRF530 | N-Canal Del Realce-Modo de Silicon Puerta | ON Semiconductor |
| 567992 | IRF530 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 14A. | General Electric Solid State |
| 567993 | IRF530 | 100 V, potencia transistor de efecto de campo | TRANSYS Electronics Limited |
| 567994 | IRF530-D | Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOS | ON Semiconductor |
| 567995 | IRF5305 | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567996 | IRF5305L | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567997 | IRF5305PBF | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567998 | IRF5305S | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567999 | IRF5305STRL | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568000 | IRF5305STRR | -55V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
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