| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 568121 | IRF5N4905 | -55V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete Smd-1 | International Rectifier |
| 568122 | IRF5N5210 | -100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete Smd-2 | International Rectifier |
| 568123 | IRF5NJ3315 | 150V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568124 | IRF5NJ5305 | -55V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568125 | IRF5NJ540 | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568126 | IRF5NJ6215 | -150V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568127 | IRF5NJ9540 | -100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568128 | IRF5NJZ34 | 55V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568129 | IRF5NJZ48 | 55V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete Smd-0.5 | International Rectifier |
| 568130 | IRF5Y1310CM | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-257aa | International Rectifier |
| 568131 | IRF5Y31N20 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-257aa | International Rectifier |
| 568132 | IRF5Y3205CM | 55V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-257aa | International Rectifier |
| 568133 | IRF5Y3315CM | 150V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-257aa | International Rectifier |
| 568134 | IRF5Y3710CM | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-257aa | International Rectifier |
| 568135 | IRF5Y5305CM | -55V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-257aa | International Rectifier |
| 568136 | IRF5Y540CM | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-257aa | International Rectifier |
| 568137 | IRF5Y6215CM | -150V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-257aa | International Rectifier |
| 568138 | IRF5Y9540CM | -100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-257aa | International Rectifier |
| 568139 | IRF5YZ48CM | 55V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-257aa | International Rectifier |
| 568140 | IRF610 | 3.Á, 200V, 1,500 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568141 | IRF610 | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568142 | IRF610 | Mosfet De la Energía De 3.Á/De 200V/1,500 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 568143 | IRF610 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568144 | IRF610-613 | MOSFETs/3.Ä/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568145 | IRF6100 | -20V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de 4-Lead FlipFET | International Rectifier |
| 568146 | IRF6100TR | -20V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de 4-Lead FlipFET | International Rectifier |
| 568147 | IRF610B | Mosfet Del N-Canal 200V | Fairchild Semiconductor |
| 568148 | IRF610B_FP001 | B-b-fet del N-Canal 200V/substituto del & IRF610; IRF610A | Fairchild Semiconductor |
| 568149 | IRF610PBF | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568150 | IRF610S | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568151 | IRF610STRL | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568152 | IRF610STRR | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568153 | IRF611 | MOSFETs/3.Ä/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568154 | IRF611 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568155 | IRF612 | MOSFETs/3.Ä/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568156 | IRF612 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568157 | IRF613 | MOSFETs/3.Ä/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568158 | IRF613 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568159 | IRF614 | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568160 | IRF614 | Mosfet De la Energía De 2.0A/De 250V/2,0 Ohmios/N-Canal | Intersil |
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