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Sehen Sie alle datasheets von an MotorolaN-CHANNEL Verbesserung-Modus Silikon-Gatter TMOS

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Sehen Sie alle datasheets von an SGS Thomson MicroelectronicsN - FÜHRUNG 500V - 2.5 W - 2.5 A - TO-220 PowerMESH Mosfet Download IRF820 datasheet von
SGS Thomson Microelectronics
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Sehen Sie alle datasheets von an ST MicroelectronicsN-CHANNEL 500V - 2.5 OHM - 4A - TO-220 POWERMESH II MOSFET Download IRF820 datasheet von
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Sehen Sie alle datasheets von an Fairchild Semiconductor2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Führung Energie Mosfet Download IRF820 datasheet von
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Sehen Sie alle datasheets von an General Electric Solid StateN-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. Download IRF820 datasheet von
General Electric Solid State
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Sehen Sie alle datasheets von an International Rectifier500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket

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IRF82Ansicht IRF820 zu unserem KatalogIRF820A



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