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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
5011SS321Commutazione Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5021SS322Commutazione Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5031SS336Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5041SS337Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5051SS344Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Dello Schottky Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5061SS348Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5071SS349Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Dello Schottky Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5081SS352Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5091SS357Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5101SS360Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5111SS360FApplicazioni Ultra Ad alta velocitą Planari Epitassiali Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5121SS361Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5131SS361CTDiodo di commutazioneTOSHIBA
5141SS361FApplicazioni Ultra Ad alta velocitą Planari Epitassiali Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5151SS361FVDiodo di commutazioneTOSHIBA
5161SS362Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5171SS362FVDiodo di commutazioneTOSHIBA
5181SS364APPLICAZIONI DELL'CInterruttore DELLA FASCIA DEL SINTONIZZATORE DI VHF DEL DIODOTOSHIBA
5191SS367Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5201SS368DIODO (APPLICAZIONE ULTRA AD ALTA VELOCITĄ DI COMMUTAZIONE)TOSHIBA
5211SS369DIODO (COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI BASSA TENSIONE)TOSHIBA
5221SS370Alta tensione Planare Epitassiale Del Tipo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di CommutazioneTOSHIBA
5231SS372Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5241SS373DIODO (APPLICAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI COMMUTAZIONE)TOSHIBA
5251SS374Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5261SS377Commutazione Ad alta velocitą Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5271SS378Commutazione Ad alta velocitą Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Planare Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5281SS379Applicazioni Per tutti gli usi Di Raddrizzatore Del Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5291SS381Applicazioni Planari Epitassiali Dell'Interruttore Della Fascia Del Sintonizzatore di VHF Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5301SS382Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5311SS383Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5321SS384Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5331SS385Commutazione Ad alta velocitą Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5341SS385FCommutazione Ad alta velocitą Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5351SS385FVPiccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5361SS387Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5371SS387CTDiodo di commutazioneTOSHIBA
5381SS388Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5391SS389Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5401SS391Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5411SS392Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5421SS393Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5431SS394Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5441SS395Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5451SS396Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5461SS397Alta tensione Planare Epitassiale Del Diodo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di CommutazioneTOSHIBA
5471SS398Alta tensione Planare Epitassiale Del Diodo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di CommutazioneTOSHIBA
5481SS399Alta tensione Planare Epitassiale Del Diodo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di CommutazioneTOSHIBA
5491SS401Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Di Schottoky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5501SS402Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Di Schottoky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5511SS403Applicazioni Ad alta tensione Di Commutazione Di Schottoky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
5521SS404Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Del Tipo Epitassiale Di Shottlky Barrire Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5531SS405Piccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5541SS406Piccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5551SS412Diodo di commutazioneTOSHIBA
5561SS413Piccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5571SS413CTPiccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5581SS416Piccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5591SS416CTPiccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA



5601SS417Piccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5611SS417CTPiccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5621SS418Piccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5631SS419Piccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5641SS420Piccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5651SS420CTPiccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5661SS421Piccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5671SS422Piccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5681SS423Piccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5691SS424Piccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
5701SS426Diodo di commutazioneTOSHIBA
5711SS427Diodo di commutazioneTOSHIBA
5721SV100DIODO VARIABILE DI CAPACITĄ DEL TIPO PLANARE EPITASSIALE DEL SILICONETOSHIBA
5731SV101APPLICAZIONI PLANARI EPITASSIALI DEL SINTONIZZATORE DEL TIPO FM DI CAPACITĄ DEL SILICONE VARIABILE DEL DIODOTOSHIBA
5741SV102APPLICAZIONI DI SINTONIA DI CAPACITĄ DEL DIODO DEL SILICONE DEL TIPO DELLA FASCIA RADIOFONICA PLANARE EPITASSIALE VARIABILE DITOSHIBA
5751SV103APPLICAZIONI DI SINTONIA DI CAPACITĄ DEL DIODO DEL SILICONE DELLA FASCIA RADIOFONICA PLANARE EPITASSIALE VARIABILE DEL TIPO FMTOSHIBA
5761SV123DIODO VARIABILE DI CAPACITĄTOSHIBA
5771SV128APPLICAZIONI DELL'CAttenuatore DELLA FASCIA RF DEL DIODO VHF~uhfTOSHIBA
5781SV147APPLICAZIONI DI SINTONIA DI CAPACITĄ DEL DIODO DEL SILICONE DELLA FASCIA RADIOFONICA PLANARE EPITASSIALE VARIABILE DEL TIPO FMTOSHIBA
5791SV149APPLICAZIONI DI SINTONIA DI CAPACITĄ DEL DIODO DEL SILICONE DEL TIPO DELLA FASCIA RADIOFONICA PLANARE EPITASSIALE VARIABILE DITOSHIBA
5801SV153DIODO VARIABILE DI CAPACITĄ DEL TIPO PLANARE EPITASSIALE DEL SILICONETOSHIBA
5811SV160Domanda variabile del diodo AFC di capacitą di ricevente di FMTOSHIBA
5821SV162DIODO VARIABILE DI CAPACITĄTOSHIBA
5831SV162DIODO VARIABILE DI CAPACITĄTOSHIBA
5841SV172Tipo Epitassiale Del Perno Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5851SV214Sintonizzazione Variabile Del Diodo TV Di CapacitąTOSHIBA
5861SV215Sintonizzazione Variabile Del Diodo CATV Di CapacitąTOSHIBA
5871SV216Sintonizzatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA AFC di VHF Del Diodo Variabile TV Di CapacitąTOSHIBA
5881SV217Sintonizzazione Variabile Del Diodo CATV Di CapacitąTOSHIBA
5891SV225Applicazioni di sintonia elettroniche del diodo variabile di capacitą delle riceventi di FMTOSHIBA
5901SV228Applicazioni di sintonia elettroniche del diodo variabile di capacitą delle riceventi di FMTOSHIBA
5911SV229Diodo variabile VCO di capacitą per la radio A FREQUENZA ULTRAELEVATA della fasciaTOSHIBA
5921SV230Sintonizzazione dell'cOscillatore Di Capacitą Del Convertitore Variabile Del Diodo CATV PrimaTOSHIBA
5931SV231Sintonizzazione Variabile Del Diodo CATV Di CapacitąTOSHIBA
5941SV232Sintonizzazione Variabile Del Diodo CATV Di CapacitąTOSHIBA
5951SV237Applicazioni Epitassiali Dell'Attenuatore Della Fascia Rf Del Tipo VHF~uhf Del Perno Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
5961SV239Diodo variabile VCO di capacitą per la RADIO A FREQUENZA ULTRAELEVATATOSHIBA
5971SV242Sintonizzazione Larga Della Fascia di VHF Del Diodo Variabile TV Di CapacitąTOSHIBA
5981SV245Sintonizzazione Variabile di Frequenza ultraelevata SHF Del Diodo Di CapacitąTOSHIBA
5991SV252Applicazioni Epitassiali Dell'Attenuatore Della Fascia Rf Del Tipo VHF~uhf Del Perno Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
6001SV257Diodi Del Varactor di RfTOSHIBA

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