| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 48881 | 2N6488 | TRANSISTOR DE PODER PLÁSTICOS DE NPN/PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48882 | 2N6488 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48883 | 2N6488 | Poder 15A 80V NPN Discreto | ON Semiconductor |
| 48884 | 2N6488 | 75.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 80V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48885 | 2N6488 | 15A, 75W, silício NPN epitaxial base VERSAWATT transistor. 90V. | General Electric Solid State |
| 48886 | 2N6489 | PODER TRANSISTORS(15A, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48887 | 2N6489 | TRANSISTOR DE PODER PLÁSTICOS DE NPN/PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48888 | 2N6489 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48889 | 2N6489 | 75.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. 40V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48890 | 2N6489 | 15A, 75W, PNP silício epitaxial base VERSAWATT transistor. -50V. | General Electric Solid State |
| 48891 | 2N6490 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 48892 | 2N6490 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 48893 | 2N6490 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 48894 | 2N6490 | PODER TRANSISTORS(15A, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48895 | 2N6490 | TRANSISTOR DE PODER PLÁSTICOS DE NPN/PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48896 | 2N6490 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48897 | 2N6490 | Poder 15A 80V NPN Discreto | ON Semiconductor |
| 48898 | 2N6490 | 75.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48899 | 2N6490 | 15A, 75W, PNP silício epitaxial base VERSAWATT transistor. -70V. | General Electric Solid State |
| 48900 | 2N6491 | PODER TRANSISTORS(15A, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48901 | 2N6491 | TRANSISTOR DE PODER PLÁSTICOS DE NPN/PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48902 | 2N6491 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48903 | 2N6491 | Poder 15A 80V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 48904 | 2N6491 | 75.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. 80V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48905 | 2N6491 | 15A, 75W, PNP silício epitaxial base VERSAWATT transistor. -90V. | General Electric Solid State |
| 48906 | 2N6494 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 48907 | 2N6496 | Alta corrente, alta energia, alta velocidade do transistor de silício NPN planar. | General Electric Solid State |
| 48908 | 2N6497 | PODER TRANSISTORS(5A, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48909 | 2N6497 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA TENSÃO DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 48910 | 2N6497 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48911 | 2N6497 | Poder 5A 250V NPN Discreto | ON Semiconductor |
| 48912 | 2N6497-D | Transistor De Poder De alta tensão Do Silicone de NPN | ON Semiconductor |
| 48913 | 2N6498 | PODER TRANSISTORS(5A, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48914 | 2N6498 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA TENSÃO DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 48915 | 2N6498 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48916 | 2N6498 | SILICONE DOS TRANSISTOR DE PODER NPN | ON Semiconductor |
| 48917 | 2N6499 | PODER TRANSISTORS(5A, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48918 | 2N6499 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA TENSÃO DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 48919 | 2N6499 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48920 | 2N6500 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDADE DO SILICONE NPN DO COLETOR | General Electric Solid State |
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