| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 567401 | IRF1010NSTRR | 55V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567402 | IRF1010Z | 55V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567403 | IRF1010ZL | 55V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 567404 | IRF1010ZS | 55V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567405 | IRF1104 | 40V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567406 | IRF1104L | 40V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 567407 | IRF1104PBF | 40V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567408 | IRF1104S | 40V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567409 | IRF1104STRL | 40V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567410 | IRF1104STRR | 40V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567411 | IRF120 | MOSFETs/ 11 A 60-100 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567412 | IRF120 | 8.0A e 9.2A/ 80V e 100V/ mOSFETs de um poder de 0.27 e 0.36 ohm N-Channel/ | Intersil |
| 567413 | IRF120 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567414 | IRF120 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Dreno contínua 32A atual. | General Electric Solid State |
| 567415 | IRF120-123 | MOSFETs/ 11 A 60-100 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567416 | IRF121 | MOSFETs/ 11 A 60-100 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567417 | IRF121 | 8.0A e 9.2A/ 80V e 100V/ mOSFETs de um poder de 0.27 e 0.36 ohm N-Channel/ | Intersil |
| 567418 | IRF121 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567419 | IRF121 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Dreno contínua 32A atual. | General Electric Solid State |
| 567420 | IRF122 | MOSFETs/ 11 A 60-100 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567421 | IRF122 | 8.0A e 9.2A/ 80V e 100V/ mOSFETs de um poder de 0.27 e 0.36 ohm N-Channel/ | Intersil |
| 567422 | IRF122 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567423 | IRF122 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Dreno contínua 28A atual. | General Electric Solid State |
| 567424 | IRF123 | MOSFETs/ 11 A 60-100 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567425 | IRF123 | 8.0A e 9.2A/ 80V e 100V/ mOSFETs de um poder de 0.27 e 0.36 ohm N-Channel/ | Intersil |
| 567426 | IRF123 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567427 | IRF123 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Dreno contínua 28A atual. | General Electric Solid State |
| 567428 | IRF130 | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AA | International Rectifier |
| 567429 | IRF130 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | SemeLAB |
| 567430 | IRF130 | MOSFETs/ 20 A 60-100 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567431 | IRF130 | 14A/ 100V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.160 Ohm | Intersil |
| 567432 | IRF130 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567433 | IRF130 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Dreno contínua 56A atual. | General Electric Solid State |
| 567434 | IRF130-133 | MOSFETs/ 20 A 60-100 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567435 | IRF1302 | 20V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567436 | IRF1302L | 20V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 567437 | IRF1302S | 20V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567438 | IRF130SMD | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL PARA APLICAÇÕES DE HI.REL | SemeLAB |
| 567439 | IRF131 | MOSFETs/ 20 A 60-100 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567440 | IRF131 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
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