| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 567481 | IRF1405PBF | 55V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567482 | IRF1405S | 55V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567483 | IRF1405STRL | 55V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567484 | IRF1405STRR | 55V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567485 | IRF1405Z | 55V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567486 | IRF1405ZL | 55V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 567487 | IRF1405ZS | 55V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567488 | IRF1407 | 75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567489 | IRF1407L | 75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 567490 | IRF1407S | 75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567491 | IRF140SMD | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | SemeLAB |
| 567492 | IRF141 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567493 | IRF141 | MOSFET N-channel, 27 A, 60V. | Fairchild Semiconductor |
| 567494 | IRF141 | 28A e 25A, 80V e 100V, 0,077 e 0,100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567495 | IRF142 | MOSFETs/ 27 A 60-100V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567496 | IRF142 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567497 | IRF142 | 28A e 25A, 80V e 100V, 0,077 e 0,100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567498 | IRF143 | MOSFETs/ 27 A 60-100V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567499 | IRF143 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567500 | IRF143 | 28A e 25A, 80V e 100V, 0,077 e 0,100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567501 | IRF150 | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AE | International Rectifier |
| 567502 | IRF150 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | SemeLAB |
| 567503 | IRF150 | MOSFETs/ 40 A 60 V/100 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567504 | IRF150 | 40A/ 100V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.055 Ohm | Intersil |
| 567505 | IRF150 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567506 | IRF150 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 40A. | General Electric Solid State |
| 567507 | IRF150-153 | MOSFETs/ 40 A 60 V/100 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567508 | IRF1503 | 30V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567509 | IRF1503L | 30V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 567510 | IRF1503S | 30V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567511 | IRF150SMD | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | SemeLAB |
| 567512 | IRF151 | MOSFETs/ 40 A 60 V/100 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567513 | IRF151 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567514 | IRF151 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 40A. | General Electric Solid State |
| 567515 | IRF151 | 33A e 40A, 60V e 100V, 0,055 e 0,08 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567516 | IRF152 | MOSFETs/ 40 A 60 V/100 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567517 | IRF152 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567518 | IRF152 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 33A. | General Electric Solid State |
| 567519 | IRF152 | 33A e 40A, 60V e 100V, 0,055 e 0,08 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567520 | IRF153 | MOSFETs/ 40 A 60 V/100 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| | | |
