| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 2901 | GT8J101 | APLICAÇÕES BIPOLARES ISOLADAS Do CONTROLE Do MOTOR Das APLICAÇÕES Do SWITCHING Do PODER ELEVADO Da CANALETA IGBT Do SILICONE N Do TRANSISTOR Da PORTA | TOSHIBA |
| 2902 | GT8J102(SM) | APLICAÇÕES BIPOLARES ISOLADAS Do CONTROLE Do MOTOR Das APLICAÇÕES Do SWITCHING Do PODER ELEVADO Da CANALETA IGBT Do SILICONE N Do TRANSISTOR Da PORTA | TOSHIBA |
| 2903 | GT8J102SM | APLICAÇÕES Do CONTROLE Do MOTOR Do SWITCHING/ Do PODER Da CANALETA IGBT(HIGH De N) | TOSHIBA |
| 2904 | GT8Q101 | APLICAÇÕES BIPOLARES ISOLADAS Do CONTROLE Do MOTOR Das APLICAÇÕES Do SWITCHING Do PODER ELEVADO Da CANALETA IGBT Do SILICONE N Do TRANSISTOR Da PORTA | TOSHIBA |
| 2905 | GT8Q102 | APLICAÇÕES Do CONTROLE Do MOTOR Do SWITCHING/ Do PODER Da CANALETA IGBT(HIGH De N) | TOSHIBA |
| 2906 | GT8Q102(SM) | APLICAÇÕES BIPOLARES ISOLADAS Do CONTROLE Do MOTOR Das APLICAÇÕES Do SWITCHING Do PODER ELEVADO Da CANALETA IGBT Do SILICONE N Do TRANSISTOR Da PORTA | TOSHIBA |
| 2907 | GT8Q102SM | APLICAÇÕES Do CONTROLE Do MOTOR Do SWITCHING/ Do PODER Da CANALETA IGBT(HIGH De N) | TOSHIBA |
| 2908 | HANDLING | Photocoupler - Informação Suplementar | TOSHIBA |
| 2909 | HC123 | MULTIVIBRATOR MONOSTABLE DUPLO DE RETRIGGERABLE | TOSHIBA |
| 2910 | HC125 | AMORTECEDOR DA BARRA-ÔNIBUS DO QUAD | TOSHIBA |
| 2911 | HC257 | MULTIPLEXER DO QUAD 2-CHANEL (3-STATE) | TOSHIBA |
| 2912 | HC4052 | 8-CHANNEL MULTIPLEXER/DEMULITIPLEXER ANÁLOGO | TOSHIBA |
| 2913 | HN1A01F | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 2914 | HN1A01FE | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2915 | HN1A01FU | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 2916 | HN1A02F | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2917 | HN1A07F | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2918 | HN1A26FS | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2919 | HN1B01F | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) Tipo Epitaxial do Pct Do Silicone NPN (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 2920 | HN1B01FU | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) Tipo Epitaxial do Pct Do Silicone NPN (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 2921 | HN1B04F | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2922 | HN1B04FE | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2923 | HN1B04FU | Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) Tipo Epitaxial do Pct Do Silicone PNP (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 2924 | HN1B26FS | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2925 | HN1C01F | Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 2926 | HN1C01FE | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2927 | HN1C01FU | Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 2928 | HN1C03F | Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo do Pct) Para Aplicações Muting E Comutando | TOSHIBA |
| 2929 | HN1C03FU | Tipo epitaxial de Npn do silicone do transistor (processo do PCT) para aplicações muting e comutando | TOSHIBA |
| 2930 | HN1C05FE | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2931 | HN1C07F | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2932 | HN1C26FS | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2933 | HN1D01F | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 2934 | HN1D01FE | Diodo de comutação | TOSHIBA |
| 2935 | HN1D01FU | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 2936 | HN1D02F | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 2937 | HN1D02FE | Diodo de comutação | TOSHIBA |
| 2938 | HN1D02FU | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 2939 | HN1D03F | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 2940 | HN1D03FU | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 2941 | HN1D04FU | Diodo de comutação | TOSHIBA |
| 2942 | HN1J02FU | Tipo Aplicações Análogas Do MOS Da Canaleta Do Silicone P Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 2943 | HN1K02FU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 2944 | HN1K03FU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 2945 | HN1K04FU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 2946 | HN1K05FU | Tipo do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Para Aplicações De alta velocidade Da Relação Das Aplicações Do Switching Dos Dispositivos Portáteis | TOSHIBA |
| 2947 | HN1K06FU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 2948 | HN1L02FU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N-P Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 2949 | HN1L03FU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N-P Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 2950 | HN1V01H | Aplicações Ajustando Da Faixa De rádio Variável do Am Do Diodo Da Capacidade | TOSHIBA |
| 2951 | HN1V02H | Aplicações Ajustando Da Faixa De rádio Variável do Am Do Diodo Da Capacidade | TOSHIBA |
| 2952 | HN2A01FE | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2953 | HN2A01FU | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 2954 | HN2A26FS | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2955 | HN2C01FE | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2956 | HN2C01FU | Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 2957 | HN2C10FT | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF | TOSHIBA |
| 2958 | HN2C10FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2959 | HN2C11FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2960 | HN2C12FT | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF | TOSHIBA |
| 2961 | HN2C12FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2962 | HN2C13FT | Produtos Novos do Rf | TOSHIBA |
| 2963 | HN2C14FT | Produtos Novos do Rf | TOSHIBA |
| 2964 | HN2C26FS | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2965 | HN2D01F | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 2966 | HN2D01FU | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 2967 | HN2D01JE | Diodo de comutação | TOSHIBA |
| 2968 | HN2D02FU | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Ultra De alta velocidade Do Silicone Do Diodo Do Switching | TOSHIBA |
| 2969 | HN2D03F | Diodo de comutação | TOSHIBA |
| 2970 | HN2E04F | Multi-chip de dispositivo discreto (PNP + SW diodo) | TOSHIBA |
| 2971 | HN2S01F | Tipo Epitaxial Aplicação De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Do Switching Da Baixa Tensão | TOSHIBA |
| 2972 | HN2S01FU | Tipo Epitaxial Aplicação De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Do Switching Da Baixa Tensão | TOSHIBA |
| 2973 | HN2S02FU | Pequenos sinais diodo de barreira Schottky | TOSHIBA |
| 2974 | HN2S02JE | Pequenos sinais diodo de barreira Schottky | TOSHIBA |
| 2975 | HN2S03FE | Pequenos sinais diodo de barreira Schottky | TOSHIBA |
| 2976 | HN2S03FU | Pequenos sinais diodo de barreira Schottky | TOSHIBA |
| 2977 | HN2S03T | Pequenos sinais diodo de barreira Schottky | TOSHIBA |
| 2978 | HN2S04FU | Pequenos sinais diodo de barreira Schottky | TOSHIBA |
| 2979 | HN2V02H | Aplicações Ajustando Da Faixa De rádio Variável do Am Do Diodo Da Capacidade | TOSHIBA |
| 2980 | HN3A51F | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 2981 | HN3B01F | TIPO EPITAXIAL DE PNP (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DA FINALIDADE GERAL DE FREQÜÊNCIA AUDIO) | TOSHIBA |
| 2982 | HN3B02FU | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP.NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência Audio | TOSHIBA |
| 2983 | HN3C01F | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2984 | HN3C01FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2985 | HN3C02F | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2986 | HN3C02FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2987 | HN3C03F | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2988 | HN3C03FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2989 | HN3C09F | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2990 | HN3C09FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2991 | HN3C10F | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2992 | HN3C10FE | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF | TOSHIBA |
| 2993 | HN3C10FT | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF | TOSHIBA |
| 2994 | HN3C10FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2995 | HN3C11F | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2996 | HN3C11FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2997 | HN3C12 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DE NPN (APLICAÇÕES BAIXAS DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF) | TOSHIBA |
| 2998 | HN3C12F | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 2999 | HN3C12FU | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3000 | HN3C13F | Transistor Do Híbrido do Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
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