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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
3501MT6P04ATTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3502MT6P06ETipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3503MT6P06TTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3504MT6P07ETipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3505MT6P07TTipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF-UHFTOSHIBA
3506MT8986AEInterruptor De Digital Múltiplo Da Taxa Da Família do Cmos ST-BUSTOSHIBA
3507MT8986ALInterruptor De Digital Múltiplo Da Taxa Da Família do Cmos ST-BUSTOSHIBA
3508MT8986APInterruptor De Digital Múltiplo Da Taxa Da Família do Cmos ST-BUSTOSHIBA
3509MT8986AP1Interruptor De Digital Múltiplo Da Taxa Da Família do Cmos ST-BUSTOSHIBA
3510MT8986APRInterruptor De Digital Múltiplo Da Taxa Da Família do Cmos ST-BUSTOSHIBA
3511MT8986APR1Interruptor De Digital Múltiplo Da Taxa Da Família do Cmos ST-BUSTOSHIBA
3512OR8GU41TIPO DIFUNDIDO (APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO RETIFICADOR)TOSHIBA
3513P1001AIC INFRAVERMELHO DE THSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTOTOSHIBA
3514P100AIC INFRAVERMELHO DE THSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTOTOSHIBA
3515P1014IC INFRAVERMELHO DE TOSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTOTOSHIBA
3516P1015IC INFRAVERMELHO DE TOSHIBA PHOTOINTERRUPTER LED+PHOTOTOSHIBA
3517PA75358CPSILICONE MONOLÍTICO (AMPLIFICADOR DUPLO DE POERATIONAL)TOSHIBA
3518PAL20L8PORTA DE SILICONE CMOS DO CIRCUITO DO MOS DIGITAL INTERGRATEDTOSHIBA
3519PAL20R4PORTA DE SILICONE CMOS DO CIRCUITO DO MOS DIGITAL INTERGRATEDTOSHIBA
3520PAL20R6PORTA DE SILICONE CMOS DO CIRCUITO DO MOS DIGITAL INTERGRATEDTOSHIBA
3521PAL20R8PORTA DE SILICONE CMOS DO CIRCUITO DO MOS DIGITAL INTERGRATEDTOSHIBA
3522PGU1008A(T05)Indicador Do Circuito Do Painel - Lâmpadas do Diodo emissor de luzTOSHIBA
3523RFM00U7UMOSFET de energia de rádio-freqüênciaTOSHIBA
3524RFM01U7PMOSFET de energia de rádio-freqüênciaTOSHIBA
3525RFM03U3CTMOSFET de energia de rádio-freqüênciaTOSHIBA
3526RFM04U6PMOSFET de energia de rádio-freqüênciaTOSHIBA
3527RFM07U7XMOSFET de energia de rádio-freqüênciaTOSHIBA
3528RFM08U9XMOSFET de energia de rádio-freqüênciaTOSHIBA
3529RFM12U7XMOSFET de energia de rádio-freqüênciaTOSHIBA
3530RN1001Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
3531RN1002Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
3532RN1003Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
3533RN1004Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
3534RN1005Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
3535RN1006Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
3536RN1007Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
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3538RN1009Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
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3542RN1101ACTViés resistor embutido transistor (BRT)TOSHIBA
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3544RN1101FTipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
3545RN1101FTTipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
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3551RN1102FTTipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
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3562RN1104FTipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
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3590RN1109ACTViés resistor embutido transistor (BRT)TOSHIBA
3591RN1109CTViés resistor embutido transistor (BRT)TOSHIBA
3592RN1109FTipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
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3598RN1110FTTipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
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3600RN1111Tipo Epitaxial Do Silicone NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA

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