Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
256201 | BD241 | СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ
ПЛАСТИЧНАЯ | Boca Semiconductor Corporation |
256202 | BD241 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | TRSYS |
256203 | BD241 | Эпитаксиальное-база кремния NPN VERSAWATT транзистор. Vcer 55V, 40W. | General Electric Solid State |
256204 | BD241 | 55 V NPN кремния мощный транзистор | TRANSYS Electronics Limited |
256205 | BD241A | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256206 | BD241A | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
256207 | BD241A | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ
НИЗКОПРОБНЫЕ | Micro Electronics |
256208 | BD241A | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Power Innovations |
256209 | BD241A | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256210 | BD241A | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256211 | BD241A | СИЛА TRANSISTORS(3ЈA, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
256212 | BD241A | СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ
ПЛАСТИЧНАЯ | Boca Semiconductor Corporation |
256213 | BD241A | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | TRSYS |
256214 | BD241A | Эпитаксиальное-база кремния NPN VERSAWATT транзистор. Vcer 70V, 40W. | General Electric Solid State |
256215 | BD241A | 70 V NPN кремния мощный транзистор | TRANSYS Electronics Limited |
256216 | BD241A | NPN кремния пластик силового транзистора. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначен | USHA India LTD |
256217 | BD241ATU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256218 | BD241B | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256219 | BD241B | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
256220 | BD241B | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ
НИЗКОПРОБНЫЕ | Micro Electronics |
256221 | BD241B | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Power Innovations |
256222 | BD241B | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256223 | BD241B | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256224 | BD241B | СИЛА TRANSISTORS(3ЈA, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
256225 | BD241B | СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ
ПЛАСТИЧНАЯ | Boca Semiconductor Corporation |
256226 | BD241B | Транзисторы Силы Комплементарного Кремния Пластичные | Motorola |
256227 | BD241B | КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ | ON Semiconductor |
256228 | BD241B | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | TRSYS |
256229 | BD241B | Эпитаксиальное-база кремния NPN VERSAWATT транзистор. Vcer 90V, 40W. | General Electric Solid State |
256230 | BD241B | 90 V NPN кремния мощный транзистор | TRANSYS Electronics Limited |
256231 | BD241B | NPN кремния пластик мощность NPN-транзистор. Предназначен для использования в коммутационных и усилителя приложений общего назначе | USHA India LTD |
256232 | BD241BFP | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
256233 | BD241BFP | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256234 | BD241BFP | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256235 | BD241BTU | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256236 | BD241C | Транзистор Кремния NPN Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
256237 | BD241C | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
256238 | BD241C | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | Power Innovations |
256239 | BD241C | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
256240 | BD241C | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |