| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 49041 | 2N6547 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ СИЛЫ NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 49042 | 2N6547 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49043 | 2N6547 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ СЕРИИ NPN
SWITCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49044 | 2N6547 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49045 | 2N6547 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ NPN | ON Semiconductor |
| 49046 | 2N6547-D | Транзисторы Силы Кремния Серии NPN
SWITCHMODE | ON Semiconductor |
| 49047 | 2N6548 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49048 | 2N6549 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49049 | 2N6550 | Кремния узел полевой транзистор N-Channel | InterFET Corporation |
| 49050 | 2N6551 | Комплементарные транзисторы кремния изготовленные
epitaial плоскостным процессом конструировали для общего
назначения тональнозвукового усилителя | Central Semiconductor |
| 49051 | 2N6552 | Комплементарные транзисторы кремния изготовленные
epitaial плоскостным процессом конструировали для общего
назначения тональнозвукового усилителя | Central Semiconductor |
| 49052 | 2N6553 | Комплементарные транзисторы кремния изготовленные
epitaial плоскостным процессом конструировали для общего
назначения тональнозвукового усилителя | Central Semiconductor |
| 49053 | 2N6554 | Комплементарные транзисторы кремния изготовленные
epitaial плоскостным процессом конструировали для общего
назначения тональнозвукового усилителя | Central Semiconductor |
| 49054 | 2N6555 | Комплементарные транзисторы кремния изготовленные
epitaial плоскостным процессом конструировали для общего
назначения тональнозвукового усилителя | Central Semiconductor |
| 49055 | 2N6556 | Комплементарные транзисторы кремния изготовленные
epitaial плоскостным процессом конструировали для общего
назначения тональнозвукового усилителя | Central Semiconductor |
| 49056 | 2N6560 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3. | SemeLAB |
| 49057 | 2N6560 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3. | SemeLAB |
| 49058 | 2N6564 | Освинцованный Scr Тиристора | Central Semiconductor |
| 49059 | 2N6564 | 300 В, кремний управляемый выпрямитель | Boca Semiconductor Corporation |
| 49060 | 2N6565 | Освинцованный Scr Тиристора | Central Semiconductor |
| 49061 | 2N6565 | Чувствительное SCRs | Teccor Electronics |
| 49062 | 2N6565 | 400 В, кремний управляемый выпрямитель | Boca Semiconductor Corporation |
| 49063 | 2N6569 | СИЛА TRANSISTORS(12ЈA, 40v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49064 | 2N6569 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 49065 | 2N656A | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
| 49066 | 2N657 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ | Continental Device India Limited |
| 49067 | 2N657 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНЫЕ | Continental Device India Limited |
| 49068 | 2N6575 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 49069 | 2N6575 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 49070 | 2N6576 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49071 | 2N6576 | 15 СИЛА TRAN АМПЕРА NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49072 | 2N6576 | 15 NPN Дарлингтон транзистор питания. 60 В. 120 В. Прирост 2000 году на 4 А. | General Electric Solid State |
| 49073 | 2N6577 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO3 | SemeLAB |
| 49074 | 2N6577 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49075 | 2N6577 | 15 СИЛА TRAN АМПЕРА NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49076 | 2N6577 | 15 NPN Дарлингтон транзистор питания. 90 В. 120 В. Прирост 2000 году на 4 А. | General Electric Solid State |
| 49077 | 2N6578 | Освинцованный Транзистор Силы Darlington | Central Semiconductor |
| 49078 | 2N6578 | 15 СИЛА TRAN АМПЕРА NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49079 | 2N6578 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ DARLINGTON NPN ДВУХПОЛЯРНЫЙ | SemeLAB |
| 49080 | 2N6578 | 15 NPN Дарлингтон транзистор питания. 120 В. 120 В. Прирост 2000 году на 4 А. | General Electric Solid State |
| | | |
