| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 48841 | 2N6469 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48842 | 2N6469 | Эпитаксиальное-база, кремния PNP мощных транзисторов. -50 В, 125 Вт. | General Electric Solid State |
| 48843 | 2N6470 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48844 | 2N6471 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48845 | 2N6472 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48846 | 2N6473 | КОМПЛЕМЕНТАРНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ TRANSITORS КРЕМНИЯ | Central Semiconductor |
| 48847 | 2N6473 | EPITAXIAL-BASE, КРЕМНИЙ N-P-N И ТРАНЗИСТОРЫ
P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48848 | 2N6473 | Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 110. | General Electric Solid State |
| 48849 | 2N6474 | КОМПЛЕМЕНТАРНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ TRANSITORS КРЕМНИЯ | Central Semiconductor |
| 48850 | 2N6474 | 130 V, эпитаксиальных-база NPN selicon versawatt транзистора | Boca Semiconductor Corporation |
| 48851 | 2N6474 | Эпитаксиальное-база, кремния NPN VERSAWATT транзистор. 130V. | General Electric Solid State |
| 48852 | 2N6475 | КОМПЛЕМЕНТАРНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ TRANSITORS КРЕМНИЯ | Central Semiconductor |
| 48853 | 2N6475 | EPITAXIAL-BASE, КРЕМНИЙ N-P-N И ТРАНЗИСТОРЫ
P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48854 | 2N6475 | Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -110V. | General Electric Solid State |
| 48855 | 2N6476 | КОМПЛЕМЕНТАРНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ TRANSITORS КРЕМНИЯ | Central Semiconductor |
| 48856 | 2N6476 | Эпитаксиальн-Osnovanie, кремний N-P-N и
транзисторы P-N-P VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48857 | 2N6476 | Эпитаксиальное-база, кремния PNP VERSAWATT транзистор. -130V. | General Electric Solid State |
| 48858 | 2N6477 | СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN СИЛЫ | General Electric Solid State |
| 48859 | 2N6477 | СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN СИЛЫ | General Electric Solid State |
| 48860 | 2N6478 | СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN СИЛЫ | General Electric Solid State |
| 48861 | 2N6478 | СРЕДСТВ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN СИЛЫ | General Electric Solid State |
| 48862 | 2N6486 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48863 | 2N6486 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ NPN/PNP ПЛАСТИЧНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 48864 | 2N6486 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48865 | 2N6486 | 75.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 40V VCEO, 15.000A Ic, 20 - 150 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48866 | 2N6486 | 15A, 75W, кремния NPN эпитаксиальный-база VERSAWATT транзистор. 50V. | General Electric Solid State |
| 48867 | 2N6487 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 48868 | 2N6487 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 48869 | 2N6487 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 48870 | 2N6487 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48871 | 2N6487 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ NPN/PNP ПЛАСТИЧНЫЕ | Boca Semiconductor Corporation |
| 48872 | 2N6487 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 48873 | 2N6487 | Сила 15ЈA 80V Дискретное NPN | ON Semiconductor |
| 48874 | 2N6487 | 75.000W средней мощности NPN Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 15.000A Ic, 20 - 150 HFE. | Continental Device India Limited |
| 48875 | 2N6487 | 15A, 75W, кремния NPN эпитаксиальный-база VERSAWATT транзистор. 70V. | General Electric Solid State |
| 48876 | 2N6487-D | Complementary Silicon Plastic
Power Transistors
2N6487 | ON Semiconductor |
| 48877 | 2N6488 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 48878 | 2N6488 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 48879 | 2N6488 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 48880 | 2N6488 | СИЛА TRANSISTORS(15ЈA, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| | | |
