|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1215 | 1216 | 1217 | 1218 | 1219 | 1220 | 1221 | 1222 | 1223 | 1224 | 1225 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
487612N6420Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
487622N6420Высоковольтная, средней мощности кремния PNP транзистор.General Electric Solid State
487632N6421СИЛА TRANSISTORS(35W)MOSPEC Semiconductor
487642N6421КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ MEDIUM-POWER ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕBoca Semiconductor Corporation
487652N6421Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
487662N6421Высоковольтная, средней мощности кремния PNP транзистор.General Electric Solid State
487672N6422СИЛА TRANSISTORS(35W)MOSPEC Semiconductor
487682N6422КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ MEDIUM-POWER ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕBoca Semiconductor Corporation
487692N6422Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
487702N6422Высоковольтная, средней мощности кремния PNP транзистор.General Electric Solid State
487712N6423СИЛА TRANSISTORS(35W)MOSPEC Semiconductor
487722N6423КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ MEDIUM-POWER ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕBoca Semiconductor Corporation
487732N6423Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
487742N6423Высоковольтная, средней мощности кремния PNP транзистор.General Electric Solid State
487752N6424Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
487762N6424PNP транзистор, 225 В, 0.25ASemeLAB
487772N6425Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
487782N6425Двухполярное приспособление PNP в герметично загерметизированном пакете металла TO66SemeLAB
487792N6426Транзистор NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487802N6426Освинцованный Малый Транзистор Darlington СигналаCentral Semiconductor
487812N6426Малый Сигнал Darlington NPNON Semiconductor
487822N6426-DКремний Транзисторов NPN DarlingtonON Semiconductor
487832N6426RLRAМалый Сигнал Darlington NPNON Semiconductor
487842N6426_D26ZТранзистор NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487852N6426_D74ZТранзистор NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487862N6427Транзистор NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487872N6427Транзистор NPN DarlingtonPhilips
487882N6427Освинцованный Малый Транзистор Darlington СигналаCentral Semiconductor
487892N6427Малый Сигнал Darlington NPNON Semiconductor
487902N6427УВЕЛИЧЕНИЕ DC ЭПИТАКСИАЛЬНОГО КРЕМНИЯ DARLINGTON TRANSISTOR(HIGH NPN В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ)Samsung Electronic
487912N6427RLRAМалый Сигнал Darlington NPNON Semiconductor
487922N6427_D26ZТранзистор NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487932N6427_D27ZТранзистор NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487942N6427_D75ZТранзистор NPN DarlingtonFairchild Semiconductor
487952N6428Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
487962N6428ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
487972N6428Транзисторов усилителя. Напряжение коллектор-эмиттер: 50V = VCEO. Напряжения коллектор-база: 60V = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: ПК (макUSHA India LTD
487982N6428AТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ UHF ТЮНЕРА OSC/MIXSamsung Electronic
487992N6428AТранзисторов усилителя. Напряжение коллектор-эмиттер: 50V = VCEO. Напряжения коллектор-база: 60V = VCBO. Рассеиваемая Коллекционер: ПК (макUSHA India LTD
488002N6430Освинцованное Малое General purpose Транзистора СигналаCentral Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1215 | 1216 | 1217 | 1218 | 1219 | 1220 | 1221 | 1222 | 1223 | 1224 | 1225 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com