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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1214561TIP106V -80, -8 A, épitaxiée de silicium transistor PNP DarlingtonSamsung Electronic
1214562TIP10680 V, 8 A, puissance de silicium PNP DarlingtonTRANSYS Electronics Limited
1214563TIP106V -80, -8 A, 80 W, le transistor de puissance au silicium PNP connecté en darlingtonTexas Instruments
1214564TIP107Transistor Épitaxial De Darlington De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
1214565TIP107TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMST Microelectronics
1214566TIP107PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
1214567TIP107TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214568TIP107TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214569TIP107PUISSANCE TRANSISTORS(å, 60-100v, 80w)MOSPEC Semiconductor
1214570TIP107Puissance Darlingtons pour des applications linéaires et de commutationBoca Semiconductor Corporation
1214571TIP107DARLINGTON TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 8 AMPÈRESMotorola
1214572TIP107Transistor De Puissance Plombé DarlingtonCentral Semiconductor
1214573TIP107Puissance Å 100V PNPON Semiconductor
1214574TIP107PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE PNPTRSYS
1214575TIP10780.000W Darlington PNP Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 8.000A Ic, 200 hFE.Continental Device India Limited
1214576TIP107-100 V, -8 A, épitaxiée de silicium transistor PNP DarlingtonSamsung Electronic
1214577TIP107100 V, 8 A, puissance de silicium PNP DarlingtonTRANSYS Electronics Limited
1214578TIP107-100 V, -8 A, 80 W, le transistor de puissance au silicium PNP connecté en darlingtonTexas Instruments
1214579TIP107TUTransistor Épitaxial De Darlington De Silicium de PNPFairchild Semiconductor



1214580TIP110Transistor Épitaxial De Darlington De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
1214581TIP110TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMST Microelectronics
1214582TIP110PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
1214583TIP110TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214584TIP110TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
1214585TIP110PUISSANCE TRANSISTORS(2.0a, 60-100v, 50w)MOSPEC Semiconductor
1214586TIP110TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES de SILICIUM De Milieu-puissance EN PLASTIQUEBoca Semiconductor Corporation
1214587TIP110DARLINGTON TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE 2 AMPÈRESMotorola
1214588TIP110Transistor De Puissance Plombé DarlingtonCentral Semiconductor
1214589TIP110Transistors Complémentaires De Silicium De Milieu-Puissance En plastiqueON Semiconductor
1214590TIP11050.000W Darlington NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 2.000A Ic, 500 hFE.Continental Device India Limited
1214591TIP1102A NPN Darlington transistor de puissance. 60V, 50W, gain de 1000 à 1A.General Electric Solid State
1214592TIP110Darlington silicium transistor de puissance NPN 60V, 2APanasonic
1214593TIP11060 V, 2 A, silicium épitaxiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
1214594TIP11060 V, 4 A, 50 W, le transistor de puissance de silicium NPN connecté en darlingtonTexas Instruments
1214595TIP110-DTransistors Complémentaires De Silicium De Milieu-Puissance En plastiqueON Semiconductor
1214596TIP110TUTransistor Épitaxial De Darlington De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
1214597TIP111Transistor Épitaxial De Darlington De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
1214598TIP111PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
1214599TIP111PUISSANCE TRANSISTORS(2.0a, 60-100v, 50w)MOSPEC Semiconductor
1214600TIP111TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES de SILICIUM De Milieu-puissance EN PLASTIQUEBoca Semiconductor Corporation
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