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IRF420 Vorbei Hergestellt: |
2.2A und 2.5A/ 450V und 500V/ 3.0 und 4.0 Ohm N-Führung Energie MOSFETs Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF422, IRF423, IRF421, |
Download IRF420 datasheet von Intersil |
pdf 74 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF823, IRF822, IRF420-423, IRF821, |
Download IRF420 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF420 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. | Download IRF420 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
IRF4104S | Ansicht IRF420 zu unserem Katalog | IRF420-423 |