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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF422 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF420, IRF423, IRF421, |
Download IRF422 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF422 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
 | 2.2A und 2.5A/ 450V und 500V/ 3.0 und 4.0 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Download IRF422 datasheet von Intersil |
pdf 74 kb |
 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF823, IRF822, IRF420-423, IRF821, |
Download IRF422 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
| IRF421 | Ansicht IRF422 zu unserem Katalog | IRF423 |