| 1111 | BDP956 | PNP Silikon AF Energie Transistor (für AF Treiber und hohe Stromverstärkung des Ausgang Stadien hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 1112 | BDW25 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
| 1113 | BDW25-10 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
| 1114 | BDW25-4 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
| 1115 | BDW25-6 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
| 1116 | BDX27 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1117 | BDX27-10 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1118 | BDX27-16 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1119 | BDX27-6 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1120 | BDX28 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1121 | BDX28-10 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1122 | BDX28-16 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1123 | BDX28-6 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1124 | BDX29 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1125 | BDX29-10 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1126 | BDX29-6 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1127 | BDX30 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1128 | BDX30-10 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1129 | BDX30-6 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1130 | BDY12 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
| 1131 | BDY12-10 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
| 1132 | BDY12-16 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
| 1133 | BDY12-6 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
| 1134 | BDY13 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
| 1135 | BDY13-10 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
| 1136 | BDY13-16 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
| 1137 | BDY13-6 | NPN Silikon Planares Trnasistors | Siemens |
| 1138 | BF1005 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 5V integriertem stabilisiertem schrägem Netz) | Siemens |
| 1139 | BF1005S | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 5V integriertem stabilisiertem schrägem Netz) | Siemens |
| 1140 | BF1009 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, steuerte hoher Gewinn Eingang Stadien bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 9 V integriertem stabilisiertem schrägem Netz | Siemens |
| 1141 | BF1009S | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 9V integriertem schrägem Netz) | Siemens |
| 1142 | BF1012 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, steuerte hoher Gewinn Eingang Stadien bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 12V integriertem stabilisiertem schrägem Netz | Siemens |
| 1143 | BF1012S | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierendem Spannung 5V integriertem stabilisiertem schrägem Netz) | Siemens |
| 1144 | BF1012W | SILIKONN-CHANNEL MOSFET TETRODE (für lärmarmen, gewinnen-kontrollierten Eingang inszeniert bis 1 Gigahertz) | Siemens |
| 1145 | BF198 | NPN Silikon Rf Transistor | Siemens |
| 1146 | BF2000 | Führung Mosfet Tetrode Des Silikon-N | Siemens |
| 1147 | BF2000W | Führung MOSFET Tetrode des Silikon-N (Kurz-Führung Transistor mit hohem S/C Qualitätsfaktor für lärmarmen, gewinnen-kontrollierten Eingang inszeniert bis 1 Gigahertz) | Siemens |
| 1148 | BF2030 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierender Spannung 5V) | Siemens |
| 1149 | BF2030W | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierender Spannung 5V) | Siemens |
| 1150 | BF2040 | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierender Spannung 5V) | Siemens |
| 1151 | BF2040W | Silikon N-Führung MOSFET Tetrode (für niedrige Geräusche, inszeniert kontrollierter Eingang des hohen Gewinnes bis zu 1GHz funktionierender Spannung 5V) | Siemens |
| 1152 | BF245 | N-Führung Verzweigung fangen-effect Transistoren | Siemens |
| 1153 | BF245A | N-Führung Verzweigung fangen-effect Transistoren | Siemens |
| 1154 | BF245B | N-Führung Verzweigung fangen-effect Transistoren | Siemens |
| 1155 | BF245C | N-Führung Verzweigung fangen-effect Transistoren | Siemens |
| 1156 | BF246 | N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOREN | Siemens |
| 1157 | BF246A | N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOREN | Siemens |
| 1158 | BF246B | N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOREN | Siemens |
| 1159 | BF246C | N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOREN | Siemens |
| 1160 | BF254 | NPN Silikon Rf Transistoren | Siemens |
| 1161 | BF324 | PNP SILIKON-RF TRANSISTOR | Siemens |
| 1162 | BF362 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
| 1163 | BF363 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
| 1164 | BF410 | LOW-NOISE N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOR FÜR RF ANWENDUNGEN | Siemens |
| 1165 | BF410A | LOW-NOISE N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOR FÜR RF ANWENDUNGEN | Siemens |
| 1166 | BF410B | LOW-NOISE N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOR FÜR RF ANWENDUNGEN | Siemens |
| 1167 | BF410C | LOW-NOISE N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOR FÜR RF ANWENDUNGEN | Siemens |
| 1168 | BF410D | LOW-NOISE N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOR FÜR RF ANWENDUNGEN | Siemens |
| 1169 | BF414 | NPN Silikon Rf Transistor (für lärmarme, Basisschaltung VHF und FM Stadien) | Siemens |
| 1170 | BF420 | NPN Silikon-Transistoren Mit Hoher Rückspannung (NPN Silikon-Transistoren Mit Hoher Rückspannung) | Siemens |
| 1171 | BF421 | PNP Silikon-Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter der Durchbruchsspannung) | Siemens |
| 1172 | BF422 | NPN Silikon-Transistoren Mit Hoher Rückspannung (NPN Silikon-Transistoren Mit Hoher Rückspannung) | Siemens |
| 1173 | BF423 | PNP Silikon-Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter der Durchbruchsspannung) | Siemens |
| 1174 | BF457 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
| 1175 | BF458 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
| 1176 | BF459 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
| 1177 | BF469 | NPN SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1178 | BF470 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1179 | BF471 | NPN SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1180 | BF472 | PNP SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Siemens |
| 1181 | BF502 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOR | Siemens |
| 1182 | BF503 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOR | Siemens |
| 1183 | BF505 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOR | Siemens |
| 1184 | BF506 | PNP Silikon Rf Transistor (für VHF Mischer- und Oszillatorstadien) | Siemens |
| 1185 | BF507 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOR | Siemens |
| 1186 | BF517 | NPN Silikon Rf Transistor (für Verstärker- und Oszillatoranwendungen in den Fernsehapparat-TV-tuners) | Siemens |
| 1187 | BF543 | Führung MOS FET Triode des Silikon-N (für Rf inszeniert bis 300 MHZ vorzugsweise in den FM Anwendungen) | Siemens |
| 1188 | BF550 | PNP Silikon Rf Transistor (für allgemeine Emitterverstärkerstadien bis 300 MHZ für Mischeranwendungen in den AM/FM Radios und IN DEN VHF Fernsehapparat Tuners) | Siemens |
| 1189 | BF554 | NPN Silikon Rf Transistor (für allgemeine differentielle Rf Anwendungen bis 300 MHZ in den Verstärker-, Mischer- und Oszillatorstromkreisen) | Siemens |
| 1190 | BF562 | npn Silikon-Rf Transistor | Siemens |
| 1191 | BF568 | PNP SILIKON-PLANARER TRANSISTOR | Siemens |
| 1192 | BF569 | PNP Silikon Rf Transistor (für OSZILLATOREN, MISCHER UND SELF-OSCILLATING MISCHER-STADIEN in den uhf Fernsehapparat TUNERS) | Siemens |
| 1193 | BF569W | PNP Silikon Rf Transistor (für Oszillatoren, Mischer und Selbst-oszillierende Mischerstadien im UHF Fernsehapparat-TV-tuner) | Siemens |
| 1194 | BF599 | NPN Silikon Rf Transistor (niedrige Rückwirkungskapazität des allgemeinen Verstärkers des Emitters IF/RF wegen der Schilddiffusion (Zerstäubung)) | Siemens |
| 1195 | BF622 | NPN Silikon Hoch-Spannung Transistor (verwendbar für videoausgang Stadien in der hohen niedrigen Spannung Sättigung Kollektor-Emitter der Durchbruchsspannung der Fernsehapparat Sätze) | Siemens |
| 1196 | BF623 | PNP Silikon Hoch-Spannung Transistor (verwendbar für videoausgang Stadien in der hohen niedrigen Spannung Sättigung Kollektor-Emitter der Durchbruchsspannung der Fernsehapparat Sätze) | Siemens |
| 1197 | BF660 | PNP Silikon Rf Transistor (für VHF Oszillatoranwendungen) | Siemens |
| 1198 | BF660W | PNP Silikon Rf Transistor (für VHF Oszillatoranwendungen) | Siemens |
| 1199 | BF720 | NPN Silikon Hoch-Spannung Transistoren (verwendbar für videoausgang Stadien in der hohen Durchbruchsspannung der Fernsehapparat Satz- und Schaltung Spg.Versorgungsteile) | Siemens |
| 1200 | BF721 | PNP Silikon Hoch-Spannung Transistoren (verwendbar für videoausgang Stadien in der hohen Durchbruchsspannung der Fernsehapparat Satz- und Schaltung Spg.Versorgungsteile) | Siemens |
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