| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 151 | 30KW270A | 270.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 152 | 30KW288 | 288.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 153 | 30KW288A | 288.00V; 5 mA; 15000W puissance de crête d'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 154 | 3T064A | 58V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 155 | 3T064B | 58V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 156 | 3T072A | 65V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 157 | 3T072B | 65V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 158 | 3T080A | 75V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 159 | 3T080B | 75V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 160 | 3T110A | 90V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 161 | 3T110B | 90V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 162 | 3T130A | 120V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 163 | 3T130B | 120V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 164 | 3T150A | 140V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 165 | 3T150B | 140V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 166 | 3T180A | 160V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 167 | 3T180B | 160V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 168 | 3T230A | 190V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 169 | 3T230B | 190V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 170 | 3T260A | 220V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 171 | 3T260B | 220V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 172 | 3T310A | 275V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 173 | 3T310B | 275V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 174 | 3T350A | 300V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 175 | 3T350B | 300V; 1A; montage en surface et axial avance de deux thyristors terminal (3T) parasurtenseur | MDE Semiconductor |
| 176 | 5KP100 | 100.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 177 | 5KP100A | 100.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 178 | 5KP110 | 110.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 179 | 5KP110A | 110.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 180 | 5KP120 | 120.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 181 | 5KP120A | 120.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 182 | 5KP130 | 130.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 183 | 5KP130A | 130.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 184 | 5KP150 | 150.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 185 | 5KP150A | 150.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 186 | 5KP160 | 160.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 187 | 5KP160A | 160.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 188 | 5KP170 | 170.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 189 | 5KP170A | 170.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 190 | 5KP180 | 180.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 191 | 5KP180A | 180.00V; 5 mA; 5000W de puissance crête de l'impulsion; verre passive jonction transitoire suppresseur de tension. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
| 192 | MAX-100 | 91.8V; 20A; 144KW de puissance crête de l'impulsion; haut de suppression de courant de tension transitoire | MDE Semiconductor |
| 193 | MAX-200 | 181.8V; 20A; 288KW de puissance crête de l'impulsion; haut de suppression de courant de tension transitoire | MDE Semiconductor |
| 194 | MAX-225 | 202.5V; 20A; 324KW de puissance crête de l'impulsion; haut de suppression de courant de tension transitoire | MDE Semiconductor |
| 195 | MAX-260 | 234.5V; 20A; 288KW de puissance crête de l'impulsion; haut de suppression de courant de tension transitoire | MDE Semiconductor |
| 196 | MAX-370 | 333V; 20A; 288KW de puissance crête de l'impulsion; haut de suppression de courant de tension transitoire | MDE Semiconductor |
| 197 | MAX-422 | 379.8V; 20A; 288KW de puissance crête de l'impulsion; haut de suppression de courant de tension transitoire | MDE Semiconductor |
| 198 | MAX-450 | 405.8V; 20A; 648KW de puissance crête de l'impulsion; haut de suppression de courant de tension transitoire | MDE Semiconductor |
| 199 | MAX-470 | 423V; 20A; 648KW de puissance crête de l'impulsion; haut de suppression de courant de tension transitoire | MDE Semiconductor |
| 200 | MAX20-100.0C | 100.00V; 5.0A; 20000W puissance de crête d'impulsion; haute transitoire suppresseur de tension (TVS) diode courant. Pour les applications bipolaires | MDE Semiconductor |
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