| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 401 | 1AZ6.8 | DIODE ZENER (RÈGLEMENT CONSTANT DE TENSION) | TOSHIBA |
| 402 | 1AZ7.5 | DIODE ZENER (RÈGLEMENT CONSTANT DE TENSION) | TOSHIBA |
| 403 | 1AZ8.2 | DIODE ZENER (RÈGLEMENT CONSTANT DE TENSION) | TOSHIBA |
| 404 | 1AZ9.1 | DIODE ZENER (RÈGLEMENT CONSTANT DE TENSION) | TOSHIBA |
| 405 | 1B4B42 | PILE DE REDRESSEUR (APPLICATIONS DE PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ) | TOSHIBA |
| 406 | 1DL41A | Redresseur De Rendement Élevé (HED) | TOSHIBA |
| 407 | 1DL42 | REDRESSEUR DE RENDEMENT ÉLEVÉ (APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE SWICTHING) | TOSHIBA |
| 408 | 1DL42A | Redresseur De Rendement Élevé (HED) | TOSHIBA |
| 409 | 1FWJ43L | REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 410 | 1FWJ43M | REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 411 | 1FWJ43N | REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 412 | 1G4B42 | PILE DE REDRESSEUR (APPLICATIONS DE PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ) | TOSHIBA |
| 413 | 1GH45 | REDRESSEUR RAPIDE DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 414 | 1GH46 | REDRESSEUR RAPIDE DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 415 | 1GU42 | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR DE TYPE DIFFUSES PAR SILICIUM DE REDRESSEUR (RÉTABLISSEMENT RAPIDE) | TOSHIBA |
| 416 | 1GWJ42 | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 417 | 1GWJ43 | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | TOSHIBA |
| 418 | 1J4B42 | PILE DE REDRESSEUR (APPLICATIONS DE PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ) | TOSHIBA |
| 419 | 1JH45 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 420 | 1JH46 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 421 | 1JU41 | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR (RÉTABLISSEMENT RAPIDE) | TOSHIBA |
| 422 | 1JU42 | APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE REDRESSEUR (RÉTABLISSEMENT RAPIDE) | TOSHIBA |
| 423 | 1N4606 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
| 424 | 1N4608 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
| 425 | 1NH41 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 426 | 1NH42 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 427 | 1NU41 | REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 428 | 1Q4B42 | PILE DE REDRESSEUR (PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ APLICATIONS) | TOSHIBA |
| 429 | 1R5BZ41 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 430 | 1R5DL41A | Applications D'Alimentation D'Énergie De Mode De Commutation Du Redresseur De Rendement Élevé (HED) | TOSHIBA |
| 431 | 1R5DU41 | REDRESSEUR RAPIDE SUPERBE DE RÉTABLISSEMENT (APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
| 432 | 1R5GH45 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 433 | 1R5GU41 | DUPER JEÛNENT DES APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 434 | 1R5GZ41 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 435 | 1R5JH45 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 436 | 1R5JU41 | REDRESSEUR À GRANDE VITESSE | TOSHIBA |
| 437 | 1R5JZ41 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 438 | 1R5NH41 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 439 | 1R5NH45 | APPLICATIONS RAPIDES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 440 | 1R5NU41 | APPLICATIONS RAPIDES SUPERBES D'CAlimentation D'CÉnergie DE MODE DE COMMUTATION DE REDRESSEUR DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 441 | 1R5NZ41 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 442 | 1S1585 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
| 443 | 1S1586 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
| 444 | 1S1587 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
| 445 | 1S1588 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
| 446 | 1S1829 | TYPE DIFFUS PAR SILICIUM DE REDRESSEUR | TOSHIBA |
| 447 | 1S1830 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 448 | 1S1832 | Le silicium de redresseur a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
| 449 | 1S1834 | Le silicium de redresseur a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
| 450 | 1S1835 | Le silicium de redresseur a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
| 451 | 1S1885 | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 452 | 1S1885A | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseurs | TOSHIBA |
| 453 | 1S1886 | TYPE DIFFUS PAR SILICIUM DE REDRESSEUR | TOSHIBA |
| 454 | 1S1886A | REDRESSEUR (APPLICATIONS DE REDRESSEUR DE BUT DE CENERAL) | TOSHIBA |
| 455 | 1S1887 | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 456 | 1S1887A | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseurs | TOSHIBA |
| 457 | 1S1888 | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
| 458 | 1S1888A | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseurs | TOSHIBA |
| 459 | 1S2092 | TYPE PLANAIRE DU SILICIUM EPTAXIAL | TOSHIBA |
| 460 | 1S2093 | DIODE PLANAIRE DE DÉCLENCHEMENT DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
| 461 | 1S2094 | DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ | TOSHIBA |
| 462 | 1S2095A | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
| 463 | 1S2186 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | TOSHIBA |
| 464 | 1S2236 | DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ DE TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | TOSHIBA |
| 465 | 1S2460 | APPLICATIONS TOUT USAGE DE REDRESSEUR. | TOSHIBA |
| 466 | 1S2461 | APPLICATIONS TOUT USAGE DE REDRESSEUR. | TOSHIBA |
| 467 | 1S2462 | APPLICATIONS TOUT USAGE DE REDRESSEUR. | TOSHIBA |
| 468 | 1S2711 | DIODE RAPIDE DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 469 | 1SS104 | DIODE PLANAIRE DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
| 470 | 1SS154 | Applications Épitaxiales De la Bande Mixer/Detector Du Type UHF~s De Barrière De Schottky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 471 | 1SS181 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 472 | 1SS184 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 473 | 1SS187 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 474 | 1SS190 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 475 | 1SS193 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 476 | 1SS196 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 477 | 1SS200 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 478 | 1SS201 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 479 | 1SS226 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 480 | 1SS250 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 481 | 1SS268 | APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODE | TOSHIBA |
| 482 | 1SS269 | APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODE | TOSHIBA |
| 483 | 1SS271 | APPLICATION ÉPITAXIALE DE MÉLANGEUR DU TYPE VHF~uhf DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY DE SILICIUM DE DIODE | TOSHIBA |
| 484 | 1SS272 | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 485 | 1SS293 | Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottoky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 486 | 1SS294 | Commutation À grande vitesse Épitaxiale De Basse Tension De Type De Barrière De Schottoky De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 487 | 1SS295 | APPLICATIONS À FRÉQUENCE ULTRA-haute DE MÉLANGEUR DE BANDE DE SCHOTTKY DE SILICIUM DE DIODE DE TYPE ÉPITAXIAL DE BARRIÈRE | TOSHIBA |
| 488 | 1SS300 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 489 | 1SS301 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 490 | 1SS302 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 491 | 1SS306 | Haute tension Planaire Épitaxiale De Type De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De Commutation | TOSHIBA |
| 492 | 1SS307 | Le Général Planaire Épitaxial Puropose Rectifier Applications De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 493 | 1SS308 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 494 | 1SS309 | Applications Ultra À grande vitesse Planaires Épitaxiales De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 495 | 1SS311 | Haute tension Planaire Épitaxiale De Type De Silicium De Diode, Applications À grande vitesse De Commutation | TOSHIBA |
| 496 | 1SS312 | APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODE | TOSHIBA |
| 497 | 1SS313 | APPLICATIONS DE COMMUTATEUR DE BANDE DE TUNER DE VHF DE DIODE | TOSHIBA |
| 498 | 1SS314 | Applications Planaires Épitaxiales De Commutateur De Bande De Tuner de VHF De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 499 | 1SS315 | Applications À FRÉQUENCE ULTRA-haute De Mélangeur De Bande De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
| 500 | 1SS319 | Commutation À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Basse Tension De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
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