| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1181081 | STW80NF10 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 80A To-247 Du N-canal 100V 0,012 BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181082 | STW80NF12 | Transistor MOSFET de PUISSANCE Du N-canal 120v-0.01óhm-80a To-220/to-247/to-220fp/d2pak STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1181083 | STW80NF55-06 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 80A To-247 STRIPFET II Du N-canal 55V 0,005 | ST Microelectronics |
| 1181084 | STW80NF55-06 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 80A To-247 STRIPFET II Du N-canal 55V 0,005 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181085 | STW80NF55-08 | N-canal 55V - 0,0065 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A To-247 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1181086 | STW81101 | RF multi-bandes synthétiseur de fréquence avec VCO intégré | ST Microelectronics |
| 1181087 | STW81101AT | RF multi-bandes synthétiseur de fréquence avec VCO intégré | ST Microelectronics |
| 1181088 | STW81101ATR | RF multi-bandes synthétiseur de fréquence avec VCO intégré | ST Microelectronics |
| 1181089 | STW81102 | RF multi-bandes synthétiseur de fréquence avec VCO intégré | ST Microelectronics |
| 1181090 | STW81102AT | RF multi-bandes synthétiseur de fréquence avec VCO intégré | ST Microelectronics |
| 1181091 | STW81103 | RF multi-bandes synthétiseur de fréquence avec VCO intégré | ST Microelectronics |
| 1181092 | STW81103AT | RF multi-bandes synthétiseur de fréquence avec VCO intégré | ST Microelectronics |
| 1181093 | STW81103ATR | RF multi-bandes synthétiseur de fréquence avec VCO intégré | ST Microelectronics |
| 1181094 | STW81200 | Wide Band Frac-N-Entier Synthétiseur intégré | ST Microelectronics |
| 1181095 | STW81200T | Wide Band Frac-N-Entier Synthétiseur intégré | ST Microelectronics |
| 1181096 | STW81200TR | Wide Band Frac-N-Entier Synthétiseur intégré | ST Microelectronics |
| 1181097 | STW82100B | RF convertisseur abaisseur avec embarqués entier N synthétiseur | ST Microelectronics |
| 1181098 | STW82100BTR | RF convertisseur abaisseur avec embarqués entier N synthétiseur | ST Microelectronics |
| 1181099 | STW82101B | RF convertisseur abaisseur avec embarqués entier N synthétiseur | ST Microelectronics |
| 1181100 | STW82101BTR | RF convertisseur abaisseur avec embarqués entier N synthétiseur | ST Microelectronics |
| 1181101 | STW82102B | RF convertisseur abaisseur avec embarqués entier N synthétiseur | ST Microelectronics |
| 1181102 | STW82102BTR | RF convertisseur abaisseur avec embarqués entier N synthétiseur | ST Microelectronics |
| 1181103 | STW82103B | RF convertisseur abaisseur avec embarqués entier N synthétiseur | ST Microelectronics |
| 1181104 | STW82103BTR | RF convertisseur abaisseur avec embarqués entier N synthétiseur | ST Microelectronics |
| 1181105 | STW88N65M5 | N-canal 650 V, 0,024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
| 1181106 | STW8NA60 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1181107 | STW8NA60 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181108 | STW8NA60 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181109 | STW8NA80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1181110 | STW8NA80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181111 | STW8NA80 | N - TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181112 | STW8NB100 | N-canal 1000V - 1,3 OHMS - 7.Á - Transistor MOSFET De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1181113 | STW8NB100 | N - la MANCHE 1000V - 1.2W - Å - To-247, Transistor MOSFET De PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181114 | STW8NB80 | N - la MANCHE 800V - 1,2 Ohms - 7.Ä - Transistor MOSFET De To-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181115 | STW8NB80 | N-canal 800V - 1,2 OHMS - 7A - Transistor MOSFET De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1181116 | STW8NB90 | N-canal 900V - 1,1 OHMS - Å - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1181117 | STW8NB90 | N-canal 900V - 1,1 OHMS - Å - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181118 | STW8NB90 | N - la MANCHE 900V - 1,1 Ohms - Å - Transistor MOSFET De To-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181119 | STW8NC70Z | l'cOhm 7A To-247 Du N-canal 700V 1,1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1181120 | STW8NC70Z | l'cOhm 7A To-247 Du N-canal 700V 1,1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
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