| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1181001 | STW50N10 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181002 | STW50N10 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181003 | STW50NB20 | N-canal 200V - 0,047 OHMS - 50A - Transistor MOSFET De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1181004 | STW50NB20 | N - la MANCHE 200V - 0.047W - 50A - Transistor MOSFET De To-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181005 | STW52NK25Z | N-canal 250V-0.03Óhm-5À SuperMESH™MOSFET Zener-Protégé Par To-247 | ST Microelectronics |
| 1181006 | STW54NK30Z | N-canal 300V - 0.05Òhm - 5Â To-247 | ST Microelectronics |
| 1181007 | STW54NM65ND | N-canal 650 V, 0,055 Ohm typ., 49 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans un boîtier TO-247 | ST Microelectronics |
| 1181008 | STW55NE10 | N - la MANCHE 100V - 0.021Ohm - 5Ä - Transistor MOSFET de PUISSANCE de TO247 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181009 | STW55NE10 | N-canal 100V - 0,021 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 5Ä TO247 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1181010 | STW55NM60N | N-canal 600 V, 0,047 Ohm, 51 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance TO-247 | ST Microelectronics |
| 1181011 | STW55NM60ND | N-canal 600 V, 0,047 Ohm, 51 A TO-247 FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) | ST Microelectronics |
| 1181012 | STW56NM60N | N-canal 600 V, 0,05 Ohm, 45 A, TO-247 MDmesh (TM) II MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1181013 | STW57N65M5 | N-canal 650 V, 0,056 Ohm typ., 42 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
| 1181014 | STW57N65M5-4 | N-canal 650 V, 0,056 Ohm typ., 42 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans un paquet TO247-4 | ST Microelectronics |
| 1181015 | STW5NA100 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1181016 | STW5NA100 | N - MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE, TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181017 | STW5NA100 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181018 | STW5NA90 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1181019 | STW5NA90 | N - TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181020 | STW5NA90 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181021 | STW5NB100 | N-canal 1000 - 4 OHMS - 4.Á - Transistor MOSFET De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1181022 | STW5NB100 | N - la MANCHE 1000V - 4W - 4.Á - To-247, Transistor MOSFET De PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181023 | STW5NB90 | N - la MANCHE 900V - 2,3 Ohms - 5.Ã - Transistor MOSFET De To-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181024 | STW5NK100Z | N-canal 1000V - 2,7 Ohms - 3.Ä - To-220/to-220fp/to-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1181025 | STW60N10 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1181026 | STW60N10 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181027 | STW60N10 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181028 | STW60NE10 | N-canal 100V - 0,016 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 60A To-247 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1181029 | STW60NE10 | N - la MANCHE 100V - 0.01Õhm - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 60A To-247 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181030 | STW60NM50N | N-canal 500 V, 0,035 Ohm typ., 68 A, MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
| 1181031 | STW62N65M5 | Automobile qualité à canal N 650 V, 0,041 Ohm typ., 46 A MDmesh M5 MOSFET de puissance dans un boîtier TO-247 | ST Microelectronics |
| 1181032 | STW62NM60N | N-canal 600 V, 0,04 Ohm typ., 65 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans un boîtier TO-247 | ST Microelectronics |
| 1181033 | STW69N65M5 | N-canal 650 V, 0,037 Ohm, 58 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
| 1181034 | STW69N65M5-4 | N-canal 650 V, 0,037 Ohm typ., 58 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet TO247-4 | ST Microelectronics |
| 1181035 | STW6N120K3 | Canal N 1200 V, 1,95 Ohm, 6 Zener protégées SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
| 1181036 | STW6N95K5 | N-canal 950 V, 1 Ohm typ., 9 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
| 1181037 | STW6NA80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1181038 | STW6NA80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181039 | STW6NA80 | N - la MANCHE 800V - 1,8 Ohms - 5. - To-247/isowatt218 JEÛNENT TRANSISTOR de MOS de PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181040 | STW6NA90 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
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