|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 29599 | 29600 | 29601 | 29602 | 29603 | 29604 | 29605 | 29606 | 29607 | 29608 | 29609 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1184121T2300F2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 3 mA, Vdrom 50 V.General Electric Solid State
1184122T2300M2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 3 mA, Vdrom 600 V.General Electric Solid State
1184123T2300N2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 3 mA, Vdrom 800 V.General Electric Solid State
1184124T2301TRIACS SENSIBLES DE SILICIUM DE PORTEGeneral Electric Solid State
1184125T2301A2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 4 mA, Vdrom 100 V.General Electric Solid State
1184126T2301B2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 4 mA, Vdrom 200 V.General Electric Solid State
1184127T2301D2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 4 mA, Vdrom 400 V.General Electric Solid State
1184128T2301F2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 4 mA, 50 V. VdromGeneral Electric Solid State
1184129T2301M2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 4 mA, Vdrom 600 V.General Electric Solid State
1184130T2301NTHYRISTORS DE COMMANDE DE PHASEetc
1184131T2301N2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 4 mA, Vdrom 800 V.General Electric Solid State
1184132T2302TRIACS SENSIBLES DE SILICIUM DE PORTEGeneral Electric Solid State
1184133T2302A2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 10 mA, Vdrom 100 V.General Electric Solid State
1184134T2302B2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 10 mA, Vdrom 200 V.General Electric Solid State
1184135T2302D2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 10 mA, Vdrom 400 V.General Electric Solid State
1184136T2302F2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 10 mA, Vdrom 50 V.General Electric Solid State
1184137T2302M2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 10 mA, Vdrom 600 V.General Electric Solid State
1184138T2302N2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 10 mA, Vdrom 800 V.General Electric Solid State
1184139T2316160AMODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 1024K XTaiwan Memory Technology



1184140T2316160A4,5 à 5,5; 1.2W; 1024K x 16 RAM dynamique: Fast Fashion PageTM Technology
1184141T2316160A-45MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 1024K XTaiwan Memory Technology
1184142T2316160A-60MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 1024K XTaiwan Memory Technology
1184143T2316162A1024K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184144T2316162A4,5 à 5,5; 1.2W; 1024K x 16 RAM dynamique: EDO page modeTM Technology
1184145T2316162A-451024K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184146T2316162A-501024K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184147T2316162A-601024K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184148T2316405A4M x 4 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184149T2316405A0,5 à 4.6V; 1.0W; 4M x 4 RAM dynamique: EDO page modeTM Technology
1184150T2316405A-104M x 4 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184151T2316405A-504M x 4 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184152T2316405A-604M x 4 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184153T2316405A-704M x 4 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184154T2316407A4M x 4 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184155T2316407A0,5 à 4.6V; 1.0W; 4M x 4 RAM dynamique: EDO page modeTM Technology
1184156T2316407A-104M x 4 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184157T2316407A-504M x 4 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184158T2316407A-604M x 4 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184159T2316407A-704M x 4 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184160T2320TRIACS SENSIBLES DE SILICIUM DE LA PORTE 2.5-AGeneral Electric Solid State
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 29599 | 29600 | 29601 | 29602 | 29603 | 29604 | 29605 | 29606 | 29607 | 29608 | 29609 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Russian version



© 2020 - www.DatasheetCatalog.com