| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 21681 | 1N5225B (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21682 | 1N5225B-G | Diodes Zener, P D = 0,5 watts, V Z = 3V | Comchip Technology |
| 21683 | 1N5225B-LCC3 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 21684 | 1N5225BT | Diode Zener | Fairchild Semiconductor |
| 21685 | 1N5225BUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 3,0 V. Tolérance + -5%. | Microsemi |
| 21686 | 1N5225B_T50A | Diode Zener | Fairchild Semiconductor |
| 21687 | 1N5225B_T50R | Diode Zener | Fairchild Semiconductor |
| 21688 | 1N5225C | 3,0 V, 20 mA, diode Zener | Leshan Radio Company |
| 21689 | 1N5225D | 3,0 V, 20 mA, diode Zener | Leshan Radio Company |
| 21690 | 1N5225UR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale tension Zener de 3,0 V. | Microsemi |
| 21691 | 1N5226 | DIODES ZENER | General Semiconductor |
| 21692 | 1N5226 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Chenyi Electronics |
| 21693 | 1N5226 | Diodes Zener Planaires De Silicium | Honey Technology |
| 21694 | 1N5226 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 21695 | 1N5226 | diode Zener de 500 mW 2,4 à 200 volts | Micro Commercial Components |
| 21696 | 1N5226 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 21697 | 1N5226 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Surge Components |
| 21698 | 1N5226 | SILICIUM 500 DIODES ZENER de mW | Microsemi |
| 21699 | 1N5226 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Semtech |
| 21700 | 1N5226 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Shanghai Sunrise Electronics |
| 21701 | 1N5226 | 500 mW diode Zener de silicium. Nominale tension Zener de 3,3 V. | Fairchild Semiconductor |
| 21702 | 1N5226 | Pd = 500mW, Vz = 3,3V diode Zener | MCC |
| 21703 | 1N5226A | 3,3 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21704 | 1N5226A | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 21705 | 1N5226A (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21706 | 1N5226A (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21707 | 1N5226AUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 3,3 V. Tolérance + -10%. | Microsemi |
| 21708 | 1N5226B | Demi De Watt Zeners | National Semiconductor |
| 21709 | 1N5226B | Zeners | Fairchild Semiconductor |
| 21710 | 1N5226B | Diodes Zener De Silicium | Vishay |
| 21711 | 1N5226B | Diodes Zener | Diodes |
| 21712 | 1N5226B | Diodes Zener pour l'alimentation d'énergie stabilisée | Hitachi Semiconductor |
| 21713 | 1N5226B | Diode Zener 500mw Épitaxiale | Comchip Technology |
| 21714 | 1N5226B | DIODE ZENER 2,4 VOLTS PAR 200VOLTS 500MCL, TOLÉRANCE DE 5% | Central Semiconductor |
| 21715 | 1N5226B | Diode Zener | Formosa MS |
| 21716 | 1N5226B | DIODES ZENER DE LA SÉRIE ÇN52 | Leshan Radio Company |
| 21717 | 1N5226B | Diodes de régulateur de tension | Philips |
| 21718 | 1N5226B | DIODE ZENER DO-35 DE 500MCW 5% | Rectron Semiconductor |
| 21719 | 1N5226B | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DES DIODES ZENER DE VERRE DE SILICIUM | DC Components |
| 21720 | 1N5226B | Diodes>Zener | Renesas |
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