| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 47161 | 2N5192 | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 4.000A Ic, 7 hFE. | Continental Device India Limited |
| 47162 | 2N5193 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 47163 | 2N5194 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 47164 | 2N5194 | Puissance  60V PNP | ON Semiconductor |
| 47165 | 2N5194-D | Transistors De Puissance Du Silicium PNP | ON Semiconductor |
| 47166 | 2N5195 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | ST Microelectronics |
| 47167 | 2N5195 | TRANSISTOR MOYEN DE SILICIUM DE LA PUISSANCE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 47168 | 2N5195 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 47169 | 2N5195 | Puissance  80V PNP | ON Semiconductor |
| 47170 | 2N5196 | Usage universel Monolithique | Vishay |
| 47171 | 2N5196 | Double JFET à canal N de l'amplificateur à des fins générales. | Intersil |
| 47172 | 2N5197 | Usage universel Monolithique | Vishay |
| 47173 | 2N5197 | Double JFET à canal N de l'amplificateur à des fins générales. | Intersil |
| 47174 | 2N5198 | Usage universel Monolithique | Vishay |
| 47175 | 2N5198 | Double JFET à canal N de l'amplificateur à des fins générales. | Intersil |
| 47176 | 2N5199 | Usage universel Monolithique | Vishay |
| 47177 | 2N5199 | Double JFET à canal N de l'amplificateur à des fins générales. | Intersil |
| 47178 | 2N5202 | TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEUR | General Electric Solid State |
| 47179 | 2N5202 | TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEUR | General Electric Solid State |
| 47180 | 2N5204 | thyristor de commande de phase de 600V 2À dans un paquet de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
| 47181 | 2N5204 | 25 et 35 ampères RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47182 | 2N5205 | thyristor de commande de phase de 800V 2À dans un paquet de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
| 47183 | 2N5205 | 25 et 35 ampères RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47184 | 2N5206 | thyristor de commande de phase de 1000V 2À dans un paquet de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
| 47185 | 2N5206 | 25 et 35 ampères RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47186 | 2N5207 | thyristor de commande de phase de 1200V 2À dans un paquet de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
| 47187 | 2N5207 | 25 et 35 ampères RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47188 | 2N5208 | L'cAffaire 29-04, dénomment 2 À -92(to-22ãa) | Motorola |
| 47189 | 2N5209 | TRANSISTORS DE SIGNAL DE BAS BRUIT D'CAf DE SILICIUM DE NPN PETITS | Micro Electronics |
| 47190 | 2N5209 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 47191 | 2N5209 | Silicium De Transistors(NPN D'Amplificateur) | ON Semiconductor |
| 47192 | 2N5209-D | Silicium Des Transistors NPN D'Amplificateur | ON Semiconductor |
| 47193 | 2N5209RLRE | Amplificateur transistor NPN | ON Semiconductor |
| 47194 | 2N5210 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47195 | 2N5210 | TRANSISTORS DE SIGNAL DE BAS BRUIT D'CAf DE SILICIUM DE NPN PETITS | Micro Electronics |
| 47196 | 2N5210 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 47197 | 2N5210 | Silicium De Transistors(NPN D'Amplificateur) | ON Semiconductor |
| 47198 | 2N5210 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Samsung Electronic |
| 47199 | 2N5210 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension collecteur-base: 50V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 47200 | 2N5210BU | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
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