|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 1175 | 1176 | 1177 | 1178 | 1179 | 1180 | 1181 | 1182 | 1183 | 1184 | 1185 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
471612N519240.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 4.000A Ic, 7 hFE.Continental Device India Limited
471622N5193Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
471632N5194Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
471642N5194Puissance  60V PNPON Semiconductor
471652N5194-DTransistors De Puissance Du Silicium PNPON Semiconductor
471662N5195TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNPST Microelectronics
471672N5195TRANSISTOR MOYEN DE SILICIUM DE LA PUISSANCE PNPSGS Thomson Microelectronics
471682N5195Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
471692N5195Puissance  80V PNPON Semiconductor
471702N5196Usage universel MonolithiqueVishay
471712N5196Double JFET à canal N de l'amplificateur à des fins générales.Intersil
471722N5197Usage universel MonolithiqueVishay
471732N5197Double JFET à canal N de l'amplificateur à des fins générales.Intersil
471742N5198Usage universel MonolithiqueVishay
471752N5198Double JFET à canal N de l'amplificateur à des fins générales.Intersil
471762N5199Usage universel MonolithiqueVishay
471772N5199Double JFET à canal N de l'amplificateur à des fins générales.Intersil
471782N5202TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEURGeneral Electric Solid State
471792N5202TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEURGeneral Electric Solid State



471802N5204thyristor de commande de phase de 600V 2À dans un paquet de To-20åa (To-48)International Rectifier
471812N520425 et 35 ampères RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
471822N5205thyristor de commande de phase de 800V 2À dans un paquet de To-20åa (To-48)International Rectifier
471832N520525 et 35 ampères RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
471842N5206thyristor de commande de phase de 1000V 2À dans un paquet de To-20åa (To-48)International Rectifier
471852N520625 et 35 ampères RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
471862N5207thyristor de commande de phase de 1200V 2À dans un paquet de To-20åa (To-48)International Rectifier
471872N520725 et 35 ampères RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
471882N5208L'cAffaire 29-04, dénomment 2 À -92(to-22ãa)Motorola
471892N5209TRANSISTORS DE SIGNAL DE BAS BRUIT D'CAf DE SILICIUM DE NPN PETITSMicro Electronics
471902N5209Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
471912N5209Silicium De Transistors(NPN D'Amplificateur)ON Semiconductor
471922N5209-DSilicium Des Transistors NPN D'AmplificateurON Semiconductor
471932N5209RLREAmplificateur transistor NPNON Semiconductor
471942N5210Amplificateur D'Usage universel de NPNFairchild Semiconductor
471952N5210TRANSISTORS DE SIGNAL DE BAS BRUIT D'CAf DE SILICIUM DE NPN PETITSMicro Electronics
471962N5210Petit Usage universel Plombé De Transistor De SignalCentral Semiconductor
471972N5210Silicium De Transistors(NPN D'Amplificateur)ON Semiconductor
471982N5210TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNSamsung Electronic
471992N5210transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension collecteur-base: 50V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
472002N5210BUAmplificateur D'Usage universel de NPNFairchild Semiconductor
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 1175 | 1176 | 1177 | 1178 | 1179 | 1180 | 1181 | 1182 | 1183 | 1184 | 1185 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Russian version



© 2022 - www.DatasheetCatalog.com