| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 54121 | 2SC3351-L | Pour amplifier un faible bruit et haute fréquence. | NEC |
| 54122 | 2SC3351-T1B | Pour amplifier un faible bruit et haute fréquence. | NEC |
| 54123 | 2SC3351-T2B | Pour amplifier un faible bruit et haute fréquence. | NEC |
| 54124 | 2SC3352 | Transistor de puissance - Type Silicon NPN Triple-Diffusée Junction Mesa | Panasonic |
| 54125 | 2SC3352A | Transistor de puissance - Type Silicon NPN Triple-Diffusée Junction Mesa | Panasonic |
| 54126 | 2SC3353 | Transistor de puissance - Type Silicon NPN Triple-Diffusée Junction Mesa | Panasonic |
| 54127 | 2SC3353A | Transistor de puissance - Type Silicon NPN Triple-Diffusée Junction Mesa | Panasonic |
| 54128 | 2SC3354 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - à haute fréquence pour des tuners | Panasonic |
| 54129 | 2SC3355 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT SILICIUM À HAUTE FRÉQUENCE DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
| 54130 | 2SC3355-T | Pour amplifier un faible bruit et haute fréquence | NEC |
| 54131 | 2SC3356 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS SILICIUM DU BRUIT AMPLIFIER(npn DE MICRO-onde) | NEC |
| 54132 | 2SC3356-L | Pour amplifier un faible bruit et haute fréquence | NEC |
| 54133 | 2SC3356-T1B | Pour amplifier un faible bruit et haute fréquence | NEC |
| 54134 | 2SC3356-T2B | Pour amplifier un faible bruit et haute fréquence | NEC |
| 54135 | 2SC3356-VM | Pour amplifier un faible bruit et haute fréquence | NEC |
| 54136 | 2SC3357 | MOULE DE PUISSANCE ÉPITAXIALE DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN MINI | NEC |
| 54137 | 2SC3357-T1 | Pour amplifier haute fréquence et à faible bruit. | NEC |
| 54138 | 2SC3357-T2 | Pour amplifier haute fréquence et à faible bruit. | NEC |
| 54139 | 2SC3359S | > de transistors; Petit signal Transistors(up bipolaire à 0.6W) | ROHM |
| 54140 | 2SC3360 | MOULE À HAUTE TENSION DE TRANSISTOR ÉPITAXIAL D'CAmplificateur ET DE SILICIUM DE LA COMMUTATION NPN MINI | NEC |
| 54141 | 2SC3360-L | Transistor de silicium | NEC |
| 54142 | 2SC3360-T1B | Transistor de silicium | NEC |
| 54143 | 2SC3360-T2B | Transistor de silicium | NEC |
| 54144 | 2SC3361 | Applications À grande vitesse De Commutation De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPN | SANYO |
| 54145 | 2SC3365 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 54146 | 2SC3365 | Triple Du Silicium NPN Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 54147 | 2SC3365 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 54148 | 2SC3369 | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | National Semiconductor |
| 54149 | 2SC3369 | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | National Semiconductor |
| 54150 | 2SC3369 | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | National Semiconductor |
| 54151 | 2SC3369 | Transistor - Type Silicon NPN planaire épitaxiale | Panasonic |
| 54152 | 2SC3374 | AMPLIFICATEUR DU TUNER RF DE VHF TV D'AMPLIFICATEUR DE VHF | Hitachi Semiconductor |
| 54153 | 2SC3374 | AMPLIFICATEUR DU TUNER RF DE VHF TV D'AMPLIFICATEUR DE VHF | Hitachi Semiconductor |
| 54154 | 2SC3374 | AMPLIFICATEUR DU TUNER RF DE VHF TV D'AMPLIFICATEUR DE VHF | Hitachi Semiconductor |
| 54155 | 2SC3376 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. RÉGULATEUR DE COMMUTATION ET APPLICATIONS DE COMMUTATION DE HAUTE TENSION. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c. | TOSHIBA |
| 54156 | 2SC3377 | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN | ROHM |
| 54157 | 2SC3379 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 54158 | 2SC3380 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 54159 | 2SC3380 | Triple Du Silicium NPN Diffus | Hitachi Semiconductor |
| 54160 | 2SC3380 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
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