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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
568121IRF5N4905-55V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet Smd-1International Rectifier
568122IRF5N5210-100V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet Smd-2International Rectifier
568123IRF5NJ3315150V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet Smd-0.5International Rectifier
568124IRF5NJ5305-55V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet Smd-0.5International Rectifier
568125IRF5NJ540100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet Smd-0.5International Rectifier
568126IRF5NJ6215-150V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet Smd-0.5International Rectifier
568127IRF5NJ9540-100V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet Smd-0.5International Rectifier
568128IRF5NJZ3455V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet Smd-0.5International Rectifier
568129IRF5NJZ4855V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet Smd-0.5International Rectifier
568130IRF5Y1310CM100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-257aaInternational Rectifier
568131IRF5Y31N20200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-257aaInternational Rectifier
568132IRF5Y3205CM55V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-257aaInternational Rectifier
568133IRF5Y3315CM150V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-257aaInternational Rectifier
568134IRF5Y3710CM100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-257aaInternational Rectifier
568135IRF5Y5305CM-55V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-257aaInternational Rectifier
568136IRF5Y540CM100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-257aaInternational Rectifier
568137IRF5Y6215CM-150V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-257aaInternational Rectifier
568138IRF5Y9540CM-100V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-257aaInternational Rectifier
568139IRF5YZ48CM55V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-257aaInternational Rectifier



568140IRF6103.Á, 200V, 1,500 Ohms, Transistor MOSFET De Puissance De N-CanalFairchild Semiconductor
568141IRF610200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
568142IRF610Transistor MOSFET De Puissance De 3.Á/200V/1,500 Ohms/N-CanalIntersil
568143IRF610N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A.General Electric Solid State
568144IRF610-613Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/3.Ä/150-200VFairchild Semiconductor
568145IRF6100-20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de 4-Lead FlipFETInternational Rectifier
568146IRF6100TR-20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de 4-Lead FlipFETInternational Rectifier
568147IRF610BTransistor MOSFET Du N-Canal 200VFairchild Semiconductor
568148IRF610B_FP001B-FET du N-Canal 200V/produit de remplacement du & IRF610; IRF610AFairchild Semiconductor
568149IRF610PBF200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
568150IRF610S200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
568151IRF610STRL200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
568152IRF610STRR200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
568153IRF611Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/3.Ä/150-200VFairchild Semiconductor
568154IRF611N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A.General Electric Solid State
568155IRF612Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/3.Ä/150-200VFairchild Semiconductor
568156IRF612N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.0A.General Electric Solid State
568157IRF613Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/3.Ä/150-200VFairchild Semiconductor
568158IRF613N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.0A.General Electric Solid State
568159IRF614250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
568160IRF614Transistor MOSFET De Puissance De 2.0A/250V/2,0 Ohms/N-CanalIntersil
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