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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
568321IRF644STRR250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
568322IRF6461Â, 275V, 0,280 Ohms, Transistor MOSFET De Puissance De N-CanalFairchild Semiconductor
568323IRF646Transistor MOSFET De Puissance Du 1Â/275V/0,280 Ohms/N-CanalIntersil
568324IRF650Transistor MOSFET Du N-Canal 200VFairchild Semiconductor
568325IRF650BTransistor MOSFET Du N-Canal 200VFairchild Semiconductor
568326IRF650B_FP001B-FET du N-Canal 200V/produit de remplacement d'cIrf650aFairchild Semiconductor
568327IRF654Transistor MOSFET Du N-Canal 250VFairchild Semiconductor
568328IRF654BTransistor MOSFET Du N-Canal 250VFairchild Semiconductor
568329IRF654B_FP001B-FET du N-Canal 250V/produit de remplacement d'cIrf65âFairchild Semiconductor
568330IRF660120V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
568331IRF660220V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
568332IRF6602TR1Transistor MOSFET De Puissance de HEXFETInternational Rectifier
568333IRF6602TR1Transistor MOSFET De Puissance de HEXFETInternational Rectifier
568334IRF660330V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
568335IRF660430V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
568336IRF660730V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
568337IRF6607TR1Transistor MOSFET De PuissanceInternational Rectifier
568338IRF660830V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
568339IRF660920V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier



568340IRF6609TR120V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
568341IRF6610Technologie de silicium de transistor MOSFET de puissance de HEXFET avec le DirectFETTM avançéInternational Rectifier
568342IRF6610Technologie de silicium de transistor MOSFET de puissance de HEXFET avec le DirectFETTM avançéInternational Rectifier
568343IRF6611Transistor MOSFET De Puissance De DirectFETInternational Rectifier
568344IRF6611Transistor MOSFET De Puissance De DirectFETInternational Rectifier
568345IRF661230V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
568346IRF6612TR1Transistor MOSFET De Puissance de HEXFETInternational Rectifier
568347IRF6613Transistor MOSFET De Puissance de HEXFETInternational Rectifier
568348IRF6614Transistor MOSFET De Puissance De DirectFETInternational Rectifier
568349IRF6614Transistor MOSFET De Puissance De DirectFETInternational Rectifier
568350IRF661730V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
568351IRF6617TR1Transistor MOSFET De Puissance de HEXFETInternational Rectifier
568352IRF661830V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
568353IRF6618TR130V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
568354IRF6619Transistor MOSFET De Puissance De DirectFETInternational Rectifier
568355IRF6619Transistor MOSFET De Puissance De DirectFETInternational Rectifier
568356IRF662020V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
568357IRF6620TR120V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
568358IRF6621L'IRF6621 combine la dernière technologie de silicium de transistor MOSFET de puissance de HEXFET avec le DirectFET avançéempaquetant pour réaliser la plus basse résistance d'sur-étatInternational Rectifier
568359IRF6621L'IRF6621 combine la dernière technologie de silicium de transistor MOSFET de puissance de HEXFET avec le DirectFET avançéempaquetant pour réaliser la plus basse résistance d'sur-étatInternational Rectifier
568360IRF662320V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de DirectFETInternational Rectifier
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