| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 568401 | IRF710B | Transistor MOSFET Du N-Canal 400V | Fairchild Semiconductor |
| 568402 | IRF710S | 400V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568403 | IRF710STRL | 400V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568404 | IRF710STRR | 400V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568405 | IRF711 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/2.2Ä/350-400V | Fairchild Semiconductor |
| 568406 | IRF712 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/2.2Ä/350-400V | Fairchild Semiconductor |
| 568407 | IRF713 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/2.2Ä/350-400V | Fairchild Semiconductor |
| 568408 | IRF720 | 3.Á, 400V, 1,800 Ohms, Transistor MOSFET De Puissance De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568409 | IRF720 | 400V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568410 | IRF720 | Transistor MOSFET De Puissance De 3.Á/400V/1,800 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 568411 | IRF720 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 568412 | IRF720 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
| 568413 | IRF720 | MOSFET canal N, 400V, 3.3A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568414 | IRF7201 | 30V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568415 | IRF7201PBF | 30V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568416 | IRF7201TR | 30V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568417 | IRF7204 | -20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568418 | IRF7204TR | -20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568419 | IRF7205 | -30V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568420 | IRF7205PBF | -30V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568421 | IRF7205TR | -30V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568422 | IRF7207 | -20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568423 | IRF7207TR | -20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568424 | IRF720B | Transistor MOSFET Du N-Canal 400V | Fairchild Semiconductor |
| 568425 | IRF720F1 | MOSFET canal N, 400V, 2.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568426 | IRF720PBF | 400V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568427 | IRF720S | 400V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568428 | IRF720SPBF | 400V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568429 | IRF720STRL | 400V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568430 | IRF720STRR | 400V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568431 | IRF721 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 568432 | IRF721 | N-canal de TRANSISTORS | International Rectifier |
| 568433 | IRF721 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 568434 | IRF721 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
| 568435 | IRF721 | MOSFET canal N, 350V, 3.3A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568436 | IRF7210 | -12V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568437 | IRF7210TR | -12V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 568438 | IRF721F1 | MOSFET canal N, 350V, 2.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568439 | IRF722 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 568440 | IRF722 | N-canal de TRANSISTORS | International Rectifier |
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