| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 600201 | K4R441869AM-CK7 | 256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq. 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 600202 | K4R441869AM-CK8 | 256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq. 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 600203 | K4R441869AN-CG6 | 256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 53,3 ns, I / O fréq. 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 600204 | K4R441869AN-CK7 | 256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq. 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 600205 | K4R441869AN-CK8 | 256K x 18 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 45 ns, I / O fréq. 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 600206 | K4R441869B | Fiche technique De K4R271669B:Direct RDRAM™ | Samsung Electronic |
| 600207 | K4R441869B | RDRAM Direct | Samsung Electronic |
| 600208 | K4R441869B-N(M)CG6 | 256K X 16/18 les banques du bit X 32s dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600209 | K4R441869B-N(M)CK7 | 256K X 16/18 les banques du bit X 32s dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600210 | K4R441869B-N(M)CK8 | 256K X 16/18 les banques du bit X 32s dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600211 | K4R521669A | 250 à 0.13V; 512 / 576Mbit court canal sans escale 1066 RDRAM (A-die); 1M x 16/18 bits x 32s banques | Samsung Electronic |
| 600212 | K4R57(88)16(8)69A | Fiche technique Directe de RDRAM™ | Samsung Electronic |
| 600213 | K4R571669D | 256/288Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
| 600214 | K4R571669M | Fiche technique Directe de RDRAM™ | Samsung Electronic |
| 600215 | K4R761869A | 250 à 0.13V; 512 / 576Mbit court canal sans escale 1066 RDRAM (A-die); 1M x 16/18 bits x 32s banques | Samsung Electronic |
| 600216 | K4R761869A-F | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 600217 | K4R761869A-FBCCN1 | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 600218 | K4R761869A-FCM8 | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 600219 | K4R761869A-FCT9 | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 600220 | K4R761869A-GCM8 | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 600221 | K4R761869A-GCN1 | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 600222 | K4R761869A-GCT9 | 1M X de 576Mbit RDRAM (Un-mourez) banques RDRAMTM direct de 18bit x de 32s | Samsung Electronic |
| 600223 | K4R881869 | 288Mbit RDRAM 512K X 18 banques 2*16 dépendantes du bit X dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600224 | K4R881869D | 256/288Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
| 600225 | K4R881869M | Fiche technique Directe de RDRAM™ | Samsung Electronic |
| 600226 | K4R881869M | RDRAM Direct | Samsung Electronic |
| 600227 | K4R881869M-NBCCG6 | 288Mbit RDRAM 512K X 18 banques 2*16 dépendantes du bit X dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600228 | K4R881869M-NCK7 | 288Mbit RDRAM 512K X 18 banques 2*16 dépendantes du bit X dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600229 | K4R881869M-NCK8 | 288Mbit RDRAM 512K X 18 banques 2*16 dépendantes du bit X dirigent RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600230 | K4S160822D | 1M X 8bit X DRACHME synchrone LVTTL de 2 banques | Samsung Electronic |
| 600231 | K4S160822DT-G/F10 | 1M X 8bit X de 2Mx8 SDRAM DRACHME synchrone LVTTL de 2 banques | Samsung Electronic |
| 600232 | K4S160822DT-G/F7 | 1M X 8bit X de 2Mx8 SDRAM DRACHME synchrone LVTTL de 2 banques | Samsung Electronic |
| 600233 | K4S160822DT-G/F8 | 1M X 8bit X de 2Mx8 SDRAM DRACHME synchrone LVTTL de 2 banques | Samsung Electronic |
| 600234 | K4S160822DT-G/FH | 1M X 8bit X de 2Mx8 SDRAM DRACHME synchrone LVTTL de 2 banques | Samsung Electronic |
| 600235 | K4S160822DT-G/FL | 1M X 8bit X de 2Mx8 SDRAM DRACHME synchrone LVTTL de 2 banques | Samsung Electronic |
| 600236 | K4S161622D | 512K x 16Bit X DRACHME synchrone de 2 banques | Samsung Electronic |
| 600237 | K4S161622D-TC/L/I/P | 512K x 16Bit X fiche technique 2 de banques synchrone de DRACHME | Samsung Electronic |
| 600238 | K4S161622D-TC/L/I/P | 512K x 16Bit X fiche technique 2 de banques synchrone de DRACHME | Samsung Electronic |
| 600239 | K4S161622D-TC/L10 | 512K x 16Bit X DRACHME synchrone de 2 banques | Samsung Electronic |
| 600240 | K4S161622D-TC/L55 | 512K x 16Bit X DRACHME synchrone de 2 banques | Samsung Electronic |
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