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BU408 Vorbei Hergestellt: |
Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck Andere mit der gleichen Akte für datasheet: BU406, BU406D, BU407, BU407D, BU408D, |
Download BU408 datasheet von Central Semiconductor |
pdf 56 kb |
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NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Download BU408 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 52 kb |
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NPN epitaktischen Siliziumtransistor. Hochspannungsschalt für Horizontalablenkung Endstufe. Kollektor-Basisspannung 400V. Kollektor-Emitter-Spannung 200V. Emitter-Basis-Spannung 6V. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: BU406H, |
Download BU408 datasheet von Wing Shing Computer Components |
pdf 29 kb |
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400 V, 7 A, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor | Download BU408 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 178 kb |
BU407TU | Ansicht BU408 zu unserem Katalog | BU4081B |