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IRF622 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF621, IRF623, IRF620, |
Download IRF622 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 7A/ 150-200V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF220, IRF222, IRF223, IRF220-223, IRF221, |
Download IRF622 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
IRF6218S | Ansicht IRF622 zu unserem Katalog | IRF623 |