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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| IRF730 Vorbei Hergestellt: | 
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 | 400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF730PBF, |
Download IRF730 datasheet von International Rectifier |
pdf 184 kb |
 | N - FÜHRUNG 400V - 0.75 W - 5.5A - TO-220 PowerMESH Mosfet | Download IRF730 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 98 kb |
 | PowerMOS Transistor Lawine Energie veranschlug | Download IRF730 datasheet von Philips |
pdf 63 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.5A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF733, IRF732, IRF731, |
Download IRF730 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
 | N-CHANNEL 400V - 0.75 OHM - 5.5A - TO-220 POWERMESH II MOSFET | Download IRF730 datasheet von ST Microelectronics |
pdf 250 kb |
 | 5.5A/ 400V/ 1.000 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Download IRF730 datasheet von Intersil |
pdf 59 kb |
 | 5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Führung Energie Mosfet | Download IRF730 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
| IRF7241TR | Ansicht IRF730 zu unserem Katalog | IRF7301 |