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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1162601STB25NM60NT4N-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh MosfetST Microelectronics
1162602STB26NM60NN-Kanal 600 V, 0.135 Ohm typ. 20 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1162603STB26NM60NDN-Kanal 600 V, 0.145 Ohm typ. 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1162604STB270N4F3N-Kanal-40 V, 1,6 mOhm typ., 160 A STripFET (TM) III Power-MOSFETs im D2PAK-PaketST Microelectronics
1162605STB27NM60NDN-Kanal 600 V, 0,13 Ohm, 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) in D2PAKST Microelectronics
1162606STB28N60M2N-Kanal 600 V, 0.135 Ohm typ. 22 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Leistungs-MOSFETs in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1162607STB28NM50NN-Kanal 500 V, 0.135 Ohm typ. 21 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1162608STB28NM60NDN-Kanal 600 V, 0.120 Ohm typ. 24 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1162609STB2N62K3N-Kanal 620 V, 3 Ohm, 2,2 A, D2PAK SuperMESH3 (TM) Power MOSFETST Microelectronics
1162610STB3015N - FÜHRUNG 30V - 0.013 Ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO ENERGIEMOSFETST Microelectronics
1162611STB3015N - FÜHRUNG 30V - 0.013 Ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO ENERGIEMOSFETST Microelectronics
1162612STB3015LN-CHANNEL 30V - 0.013 OHM - 40A D2PAK/TO-220 STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1162613STB3015LN - FÜHRUNG 30V - 0.013 W - 40A - D 2 PAK/TO-220 STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1162614STB3015LN-CHANNEL 30V - 0.013 OHM - 40A D2PAK/TO-220 STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1162615STB3020LN - FÜHRUNG 30V - 0.019W - 40A - D 2 PAK STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1162616STB30N10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1162617STB30N10ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1162618STB30N10N - FÜHRUNG 100V - 0.06Ohm - 30A - D 2 PAK ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1162619STB30N65M5N-Kanal 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh (TM) V Power MOSFET D2PAKST Microelectronics



1162620STB30NE06LN-CHANNEL 60V - 0.35 OHM - 30A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1162621STB30NE06LN-CHANNEL 60V - 0.35 OHM - 30A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1162622STB30NE06LN - FÜHRUNG 60V - 0.35 Ohm - 30A - D 2 PAK STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1162623STB30NF10N-CHANNEL 100V 0.038 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET DES OHM-35A TO-220/TO-220FP/D2PAK NIEDRIGER ENERGIE II MOSFETST Microelectronics
1162624STB30NF10N-CHANNEL 100V 0.038 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET DES OHM-35A TO-220/TO-220FP/D2PAK NIEDRIGER ENERGIE II MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1162625STB30NF10T4N-CHANNEL 100V 0.038 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET DES OHM-35A TO-220/TO-220FP/D2PAK NIEDRIGER ENERGIE II MOSFETST Microelectronics
1162626STB30NF20N-Kanal 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET (TM) Power MOSFETST Microelectronics
1162627STB30NF20LN-Kanal 200 V, 0.065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET (TM) Power MOSFETST Microelectronics
1162628STB30NS15N-CHANNEL 150V - 0.075 OHM - 30A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1162629STB31N65M5N-Kanal 650 V, 0.124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1162630STB32N65M5N-Kanal 650 V, 0.095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in D2PAKST Microelectronics
1162631STB32NM50NN-Kanal 500 V, 0,1 Ohm typ. 22 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1162632STB33N60M2N-Kanal 600 V, 0.108 Ohm typ. 26 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Leistungs-MOSFETs in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1162633STB34N65M5N-Kanal 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in D2PAK VerpackungST Microelectronics
1162634STB34NM60NN-Kanal 600 V, 0.092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II Power MOSFET in D2PAKST Microelectronics
1162635STB34NM60NDN-Kanal 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) D2PAKST Microelectronics
1162636STB35N65M5N-Kanal 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in D2PAKST Microelectronics
1162637STB35NF10N-CHANNEL 100V 0.030 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-40A TO-220/D2PAK NIEDRIGERST Microelectronics
1162638STB35NF10N-CHANNEL 100V 0.030 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-40A TO-220/D2PAK NIEDRIGERSGS Thomson Microelectronics
1162639STB35NF10T4N-CHANNEL 100V 0.030 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-40A TO-220/D2PAK NIEDRIGERST Microelectronics
1162640STB36NF02LN-CHANNEL 20V - 0.016 OHM - 36A - D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
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