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Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
1163841 | STD130 ASIC | Paketfähigkeiten | Samsung Electronic |
1163842 | STD130 ASIC | Maximaler Fanout | Samsung Electronic |
1163843 | STD130 ASIC | PLL 2073X | Samsung Electronic |
1163844 | STD130 ASIC | Niedrige Energie Gedächtnisse | Samsung Electronic |
1163845 | STD130 ASIC | Hohe Dichte-Gedächtnisse | Samsung Electronic |
1163846 | STD130 ASIC | I/O IP Zellen | Samsung Electronic |
1163847 | STD130 ASIC | I/O& I/O IP Überblick | Samsung Electronic |
1163848 | STD130 ASIC | Glossar der analogen Bezeichnungen | Samsung Electronic |
1163849 | STD130 ASIC | Broschüre STD130 | Samsung Electronic |
1163850 | STD130 ASIC | I/O Zellen | Samsung Electronic |
1163851 | STD130 ASIC | Gleichwertige Standardlast für Schichten | Samsung Electronic |
1163852 | STD13003 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
1163853 | STD13003 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | SGS Thomson Microelectronics |
1163854 | STD13003 | NPN Silikon-Energie Transistor | AUK Corp |
1163855 | STD13003-1 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
1163856 | STD13003L | NPN Silikon-Energie Transistor | AUK Corp |
1163857 | STD13003T4 | ENERGIE TRANSISTOR DER HOCHSPANNUNG-FAST-SWITCHING NPN | ST Microelectronics |
1163858 | STD13005F | NPN Silikon-Energie Transistor | AUK Corp |
1163859 | STD13005FC | NPN Silikon-Energie Transistor | AUK Corp |
1163860 | STD13007F | NPN Silikon-Energie Transistor | AUK Corp |
1163861 | STD13007FC | NPN Silikon-Energie Transistor | AUK Corp |
1163862 | STD131 ASIC | Buch-Inhalt | Samsung Electronic |
1163863 | STD131 ASIC | Glossar der analogen Bezeichnungen | Samsung Electronic |
1163864 | STD131 ASIC | Broschüre STD130 | Samsung Electronic |
1163865 | STD131 ASIC | Gleichwertige Standardlast für Schichten | Samsung Electronic |
1163866 | STD131 ASIC | I/O& I/O IP Überblick | Samsung Electronic |
1163867 | STD131 ASIC | PLL 2073X | Samsung Electronic |
1163868 | STD131 ASIC | Niedrige Energie Gedächtnisse | Samsung Electronic |
1163869 | STD131 ASIC | I/O Zellen | Samsung Electronic |
1163870 | STD131 ASIC | Hohe Dichte-Gedächtnisse | Samsung Electronic |
1163871 | STD131 ASIC | Ursprüngliche Gemische | Samsung Electronic |
1163872 | STD131 ASIC | Ursprüngliche Verriegelungen | Samsung Electronic |
1163873 | STD131 ASIC | Ursprüngliches Flip/Flops | Samsung Electronic |
1163874 | STD131 ASIC | Ursprüngliche Logik-Zellen | Samsung Electronic |
1163875 | STD131 ASIC | Ursprünglicher Überblick | Samsung Electronic |
1163876 | STD131 ASIC | I/O IP Zellen | Samsung Electronic |
1163877 | STD131 ASIC | Eigenschaften | Samsung Electronic |
1163878 | STD131 ASIC | Maximaler Fanout | Samsung Electronic |
1163879 | STD131 ASIC | Einleitung | Samsung Electronic |
1163880 | STD131 ASIC | Paketfähigkeiten | Samsung Electronic |
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