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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1163801STD1224NN-Führung Verbesserung Modus Fangen Effekt-Transistor aufSamHop Microelectronics Corp.
1163802STD1224NN-Führung Verbesserung Modus Fangen Effekt-Transistor aufSamHop Microelectronics Corp.
1163803STD123ASFNPN Silikon-TransistorAUK Corp
1163804STD123SNPN Silikon-TransistorAUK Corp
1163805STD123SFNPN Silikon-TransistorAUK Corp
1163806STD123UNPN Silikon-TransistorAUK Corp
1163807STD123UFNPN Silikon-TransistorAUK Corp
1163808STD127DT4Hochspannungs schnelle Schalt NPN-LeistungstransistorST Microelectronics
1163809STD129NPN Silikon-TransistorAUK Corp
1163810STD12N05ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1163811STD12N05N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1163812STD12N05ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1163813STD12N05LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1163814STD12N05LN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1163815STD12N05LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1163816STD12N06ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1163817STD12N06ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1163818STD12N06N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1163819STD12N06LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics



1163820STD12N06LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1163821STD12N06LN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1163822STD12N10LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1163823STD12N10LALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1163824STD12N10LN - FÜHRUNG 100V - 0.12 Ohm - 12A TO-252 NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1163825STD12N65M5N-Kanal 650 V, 0,39 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) V Power MOSFET DPAKST Microelectronics
1163826STD12NE06N - FÜHRUNG 60V - 0.08 Ohm - 12A - IPAK/DPAK SINGLE EIGENSCHAFT GRÖSSE ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1163827STD12NE06LN-CHANNEL 60V - 0.09 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1163828STD12NE06LN-CHANNEL 60V - 0.09 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1163829STD12NE06LN - FÜHRUNG 60V - 0.09 Ohm - 12A TO-251/TO-252 STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1163830STD12NF06N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1163831STD12NF06N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1163832STD12NF06-1N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1163833STD12NF06LN-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1163834STD12NF06LN-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1163835STD12NF06L-1N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1163836STD12NF06LT4N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1163837STD12NF06T4N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - 12A IPAK/DPAK STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1163838STD12NM50NDN-Kanal 500 V, 0,29 Ohm typ. 11 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im DPAK-GehäuseST Microelectronics
1163839STD130 ASICBuch-InhaltSamsung Electronic
1163840STD130 ASICEinleitungSamsung Electronic
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