|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |  

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:    
Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 29095 | 29096 | 29097 | 29098 | 29099 | 29100 | 29101 | 29102 | 29103 | 29104 | 29105 | >>
Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1163961STD17NF03N-CHANNEL 30V - 0.038OHM - 17A - DPAK/IPAK STRIPFET¢Â ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1163962STD17NF03N-CHANNEL 30V - 0.038OHM - 17A - DPAK/IPAK STRIPFET¢Â ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1163963STD17NF03LN-CHANNEL 30V 0.038 ENERGIE MOSFET DES OHM-17A DPAK/IPAK STRIFETST Microelectronics
1163964STD17NF03LN-CHANNEL 30V 0.038 ENERGIE MOSFET DES OHM-17A DPAK/IPAK STRIFETSGS Thomson Microelectronics
1163965STD17NF03L-1N-CHANNEL 30V 0.038 ENERGIE MOSFET DES OHM-17A DPAK/IPAK STRIFETST Microelectronics
1163966STD17NF03L-1N-CHANNEL 30V 0.038 ENERGIE MOSFET DES OHM-17A DPAK/IPAK STRIFETSGS Thomson Microelectronics
1163967STD17NF03LT4N-CHANNEL 30V 0.038 ENERGIE MOSFET DES OHM-17A DPAK/IPAK STRIFETST Microelectronics
1163968STD17NF25N-Kanal 250 V, 0,14 Ohm, 17 A, DPAK STripFET (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
1163969STD1802NIEDERSPANNUNG FAST-SWITCHING NPN ENERGIE TRANSISTORST Microelectronics
1163970STD1802T4NIEDERSPANNUNG FAST-SWITCHING NPN ENERGIE TRANSISTORST Microelectronics
1163971STD1802T4-ALOW VOLTAGE schnell schalt NPN-LeistungstransistorsST Microelectronics
1163972STD1805NIEDERSPANNUNG FAST-SWITCHING NPN ENERGIE TRANSISTORST Microelectronics
1163973STD1805T4NIEDERSPANNUNG FAST-SWITCHING NPN ENERGIE TRANSISTORST Microelectronics
1163974STD1862NPN Silikon-TransistorAUK Corp
1163975STD1862LNPN Silikon-TransistorAUK Corp
1163976STD18N55M5N-Kanal 550 V, 0.150 Ohm typ., 16 A, MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs im DPAK-GehäuseST Microelectronics
1163977STD18N65M5N-Kanal 650 V, 0.198 Ohm typ. 15 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs im DPAK-GehäuseST Microelectronics
1163978STD18NF03LN-Kanal-30 V, 0,038 Ohm typ., 17A STripFET (TM) II Power MOSFET in einem DPAK-GehäuseST Microelectronics
1163979STD18NF25N-Kanal 250 V, 0,14 Ohm, 17 Eine niedrige Gate-Ladung STripFET (TM) II Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics



1163980STD19NE06N-CHANNEL 60V - 0.042 OHM - 19A IPAK/DPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1163981STD19NE06N-CHANNEL 60V - 0.042 OHM - 19A IPAK/DPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1163982STD19NE06LN-CHANNEL 60V - 0.038 OHM - 19A IPAK/DPAK STRIPFET ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1163983STD19NE06LN-CHANNEL 60V - 0.038 OHM - 19A - TO-251/TO-252 STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1163984STD19NE06LN - FÜHRUNG 60V - 0.038 Ohm - 19A - TO-251/TO-252 STripFET ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
1163985STD1HN60K3N-Kanal 600 V, 6,4 Ohm typ. 1,2 A, SuperMESH3 (TM) Power MOSFET im DPAK-GehäuseST Microelectronics
1163986STD1HNC60N-CHANNEL 600V 4 OHM2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFETST Microelectronics
1163987STD1HNC60N-CHANNEL 600V 4 OHM2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1163988STD1HNC60-1N-CHANNEL 600V 4 OHM2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFETST Microelectronics
1163989STD1HNC60-1N-CHANNEL 600V 4 OHM2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1163990STD1HNC60T4N-CHANNEL 600V 4 OHM2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFETST Microelectronics
1163991STD1LNC60N-CHANNEL 600V 12 OHM 1A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFETST Microelectronics
1163992STD1LNC60N-CHANNEL 600V 12 OHM 1A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1163993STD1LNC60-1N-CHANNEL 600V 12 OHM 1A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFETST Microelectronics
1163994STD1LNC60-1N-CHANNEL 600V 12 OHM 1A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1163995STD1LNK60ZN-CHANNEL 600V - 13 OHM - 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFETST Microelectronics
1163996STD1LNK60Z-1N-CHANNEL 600V - 13 OHM - 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFETST Microelectronics
1163997STD1NA60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1163998STD1NA60ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1163999STD1NA60N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1164000STD1NB50N-CHANNEL 500V -7.5 OHM-1.4A IPAK POWERMESH MOSFETST Microelectronics
Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 29095 | 29096 | 29097 | 29098 | 29099 | 29100 | 29101 | 29102 | 29103 | 29104 | 29105 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com