| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 601121 | K5D5657ACM-F015 | 256Mb NAND und 256Mb bewegliches SDRAM | Samsung Electronic |
| 601122 | K5N07FM | ?NIFET?FULLY AUTOPROTECTED ENERGIE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 601123 | K5P2880YCM | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 128M NAND Des Bit-16Mx8 Grelles Bit 1Mx8/512Kx16 Voller Cmos SRAM Des Gedächtnis-/ 8M | Samsung Electronic |
| 601124 | K5P2880YCM - T085 | NAND Des 128M Bit-(16Mx8) Grelles Gedächtnis/Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 601125 | K5P2880YCM-T085 | 128M Bit (16Mx8) NAND-Flash-Speicher / 8M Bit (1Mx8 / 512Kx16) volle CMOS SRAM | Samsung Electronic |
| 601126 | K5P6480YCM - T085 | NAND Des 64M Bit-(8Mx8) Grelles Gedächtnis/Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 601127 | K5Q6432YCM - T010 | 64M Bit-Spannung Volles Cmos Statisches RAM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 601128 | K5T6432YBM-T310 | 64Mbit (4Mx16) fours Banken NOR-Flash-Speicher / 32Mbit (2Mx16) UtRAM, 100ns | Samsung Electronic |
| 601129 | K5T6432YT | Multi-Span Paket GEDÄCHTNIS 64M Des Bit-4Mx16 Vier Bit 2Mx16 UtRAM Bank-NOCH Blitz-Des Gedächtnis-/ 32M | Samsung Electronic |
| 601130 | K5T6432YTM-T310 | 64Mbit (4Mx16) fours Banken NOR-Flash-Speicher / 32Mbit (2Mx16) UtRAM, 100ns | Samsung Electronic |
| 601131 | K621 | DIODEN DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER SCHARFES KNIE, NIEDRIGER WIDERSTAND | Knox Semiconductor Inc |
| 601132 | K64004C1D | Funktionierender Spitze 1Mx4 Schnellstatic RAM(5.0V). Funktioniert an den kommerziellen und industriellen Temperaturspannen. | Samsung Electronic |
| 601133 | K681 | DIODEN DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER SCHARFES KNIE, NIEDRIGER WIDERSTAND | Knox Semiconductor Inc |
| 601134 | K6E0808C1C | Spitze 32Kx8 Schnell-Cmos Static RAM | Samsung Electronic |
| 601135 | K6E0808C1C-12 | Spitze 32Kx8 Schnell-Cmos Static RAM | Samsung Electronic |
| 601136 | K6E0808C1C-15 | Spitze 32Kx8 Schnell-Cmos Static RAM | Samsung Electronic |
| 601137 | K6E0808C1C-20 | Spitze 32Kx8 Schnell-Cmos Static RAM | Samsung Electronic |
| 601138 | K6E0808C1C-C | Spitze 32Kx8 Schnell-Cmos Static RAM | Samsung Electronic |
| 601139 | K6E0808C1E | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601140 | K6E0808C1E-C | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601141 | K6E0808C1E-C10 | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601142 | K6E0808C1E-C12 | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601143 | K6E0808C1E-C15 | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601144 | K6E0808C1E-I | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601145 | K6E0808C1E-I10 | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601146 | K6E0808C1E-I12 | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601147 | K6E0808C1E-I15 | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601148 | K6E0808C1E-L | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601149 | K6E0808C1E-P | 32K x 8 Bit Schnell-CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601150 | K6EB-110V | K-Relais. Einzigartig gestaltet Relais. 6 Form C Spulenspannung 110 V DC. Plug-in und löten. Hohe Empfindlichkeit Relais. Bernstein versiegelt Art. | Matsushita Electric Works(Nais) |
| 601151 | K6F1008V2C | Spitze 128Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601152 | K6F1008V2C-F | Spitze 128Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601153 | K6F1008V2C-YF55 | Spitze 128Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601154 | K6F1008V2C-YF70 | Spitze 128Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601155 | K6F1016U4C-EF55 | 64K x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOSStatic RAM | Samsung Electronic |
| 601156 | K6F1016U4C-EF70 | 64K x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOSStatic RAM | Samsung Electronic |
| 601157 | K6F1616R6M FAMILY | 1M x 16 Bit niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS statisches RAM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 601158 | K6F1616T6B | 1M x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601159 | K6F1616T6B-EF55 | 1M x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 601160 | K6F1616T6B-EF70 | 1M x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
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