| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 53761 | 2SC3012 | EL TRIPLE DEL SILICIO DEL SILICIO EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIÓ EL TRANSISTOR | Unknow |
| 53762 | 2SC3012 | EL TRIPLE DEL SILICIO DEL SILICIO EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIÓ EL TRANSISTOR | Unknow |
| 53763 | 2SC3017 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53764 | 2SC3018 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53765 | 2SC3019 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53766 | 2SC3020 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53767 | 2SC3021 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53768 | 2SC3022 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53769 | 2SC3025 | SALIDA HORIZONTAL DE LA DESVIACIÓN DE LA ENERGÍA DE LACONMUTACIÓN DE LA EXHIBICIÓN DE ALTO VOLTAJE DEL CARÁCTER | Hitachi Semiconductor |
| 53770 | 2SC3025 | SALIDA HORIZONTAL DE LA DESVIACIÓN DE LA ENERGÍA DE LACONMUTACIÓN DE LA EXHIBICIÓN DE ALTO VOLTAJE DEL CARÁCTER | Hitachi Semiconductor |
| 53771 | 2SC3025 | SALIDA HORIZONTAL DE LA DESVIACIÓN DE LA ENERGÍA DE LACONMUTACIÓN DE LA EXHIBICIÓN DE ALTO VOLTAJE DEL CARÁCTER | Hitachi Semiconductor |
| 53772 | 2SC3026 | SALIDA HORIZONTAL DE LA DESVIACIÓN DE LA ENERGÍA DE LACONMUTACIÓN DE LA EXHIBICIÓN DE ALTO VOLTAJE DEL CARÁCTER | Hitachi Semiconductor |
| 53773 | 2SC3026 | SALIDA HORIZONTAL DE LA DESVIACIÓN DE LA ENERGÍA DE LACONMUTACIÓN DE LA EXHIBICIÓN DE ALTO VOLTAJE DEL CARÁCTER | Hitachi Semiconductor |
| 53774 | 2SC3026 | SALIDA HORIZONTAL DE LA DESVIACIÓN DE LA ENERGÍA DE LACONMUTACIÓN DE LA EXHIBICIÓN DE ALTO VOLTAJE DEL CARÁCTER | Hitachi Semiconductor |
| 53775 | 2SC3030 | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE ALTO VOLTAJE DIFUNDIDA TRIPLE DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL TIPO DE LA CEPILLADORA ALTA | Fuji Electric |
| 53776 | 2SC3031 | Transistor de alta velocidad de la conmutación | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53777 | 2SC3031 | Transistor de alta velocidad de la conmutación | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53778 | 2SC3031 | Transistor de alta velocidad de la conmutación | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53779 | 2SC3032 | Transistor de alta velocidad de la conmutación | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53780 | 2SC3032 | Transistor de alta velocidad de la conmutación | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53781 | 2SC3032 | Transistor de alta velocidad de la conmutación | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53782 | 2SC3033 | Transistor de alta velocidad de la conmutación | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53783 | 2SC3033 | Transistor de alta velocidad de la conmutación | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53784 | 2SC3033 | Transistor de alta velocidad de la conmutación | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53785 | 2SC3038 | Usos Planar Difundidos Triples Del Regulador De Conmutación Del Transistor 400V/Â Del Silicio de NPN | SANYO |
| 53786 | 2SC3039 | Usos Planar Difundidos Triples Del Regulador De Conmutación Del Transistor 400V/7A Del Silicio de NPN | SANYO |
| 53787 | 2SC3039 | ENERGÍA TRANSISTORS(7.0A, 400v, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53788 | 2SC3039 | DESCRIPCIÓN Planar Epitaxial De Transistor(GENERAL Del Silicio) | Wing Shing Computer Components |
| 53789 | 2SC3040 | Usos Planar Difundidos Triples Del Regulador De Conmutación Del Transistor 400V/Å Del Silicio de NPN | SANYO |
| 53790 | 2SC3041 | 2SC3041 | SANYO |
| 53791 | 2SC3041 | 2SC3041 | SANYO |
| 53792 | 2SC3041 | 2SC3041 | SANYO |
| 53793 | 2SC3042 | Usos Planar Difundidos Triples Del Regulador De Conmutación Del Transistor 400V/1À Del Silicio de NPN | SANYO |
| 53794 | 2SC3043 | Tipo Planar Difundido Triple Transistor de NPN Del Silicio | Unknow |
| 53795 | 2SC3043 | Tipo Planar Difundido Triple Transistor de NPN Del Silicio | Unknow |
| 53796 | 2SC3043 | Tipo Planar Difundido Triple Transistor de NPN Del Silicio | Unknow |
| 53797 | 2SC3047 | CONMUTACIÓN DE ALTA VELOCIDAD DE ALTO VOLTAJE DIFUNDIDA TRIPLE DEL TIPO DE LA CEPILLADORA | Fuji Electric |
| 53798 | 2SC3052 | LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFICA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
| 53799 | 2SC3052 | LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFICA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
| 53800 | 2SC3052 | LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFICA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN DEL USO | Isahaya Electronics Corporation |
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