| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 53801 | 2SC3053 | Transistor NPN 150mW SMD, calificación máxima: 25V VCEO, 30mA Ic, 35-180 hFE. corresponden 2SC710 | Isahaya Electronics Corporation |
| 53802 | 2SC3059 | Transistor De Energía De alta velocidad Del Silicio | Fujitsu Microelectronics |
| 53803 | 2SC3059 | Transistor De Energía De alta velocidad Del Silicio | Fujitsu Microelectronics |
| 53804 | 2SC3059 | Transistor De Energía De alta velocidad Del Silicio | Fujitsu Microelectronics |
| 53805 | 2SC3060 | Transistor De Energía De alta velocidad Del Silicio | Fujitsu Microelectronics |
| 53806 | 2SC3060 | Transistor De Energía De alta velocidad Del Silicio | Fujitsu Microelectronics |
| 53807 | 2SC3060 | Transistor De Energía De alta velocidad Del Silicio | Fujitsu Microelectronics |
| 53808 | 2SC3061 | Transistor De Energía De alta velocidad Del Silicio | Fujitsu Microelectronics |
| 53809 | 2SC3061 | Transistor De Energía De alta velocidad Del Silicio | Fujitsu Microelectronics |
| 53810 | 2SC3061 | Transistor De Energía De alta velocidad Del Silicio | Fujitsu Microelectronics |
| 53811 | 2SC3063 | Dispositivo De Energía - Transistores De Energía - Otros | Panasonic |
| 53812 | 2SC3064 | Silicio Planar Epitaxial CompositeTransistor de NPN | SANYO |
| 53813 | 2SC3064 | Silicio Planar Epitaxial CompositeTransistor de NPN | SANYO |
| 53814 | 2SC3064 | Silicio Planar Epitaxial CompositeTransistor de NPN | SANYO |
| 53815 | 2SC3065 | Silicio Planar Epitaxial CompositeTransistor de NPN | SANYO |
| 53816 | 2SC3065 | Silicio Planar Epitaxial CompositeTransistor de NPN | SANYO |
| 53817 | 2SC3065 | Silicio Planar Epitaxial CompositeTransistor de NPN | SANYO |
| 53818 | 2SC3066 | USOS DIFERENCIADOS DEL AMPERIO | SANYO |
| 53819 | 2SC3066 | USOS DIFERENCIADOS DEL AMPERIO | SANYO |
| 53820 | 2SC3066 | USOS DIFERENCIADOS DEL AMPERIO | SANYO |
| 53821 | 2SC3067 | USOS DIFERENCIADOS del Amperio Del Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | SANYO |
| 53822 | 2SC3067 | USOS DIFERENCIADOS del Amperio Del Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | SANYO |
| 53823 | 2SC3067 | USOS DIFERENCIADOS del Amperio Del Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | SANYO |
| 53824 | 2SC3068 | HFE del transistor planar epitaxial del silicio de NPN alto, usos de uso general de baja frecuencia del amplificador | SANYO |
| 53825 | 2SC3069 | HFE del transistor planar epitaxial del silicio de NPN alto, usos de uso general de baja frecuencia del amplificador | SANYO |
| 53826 | 2SC3070 | HFE del transistor planar epitaxial del silicio de NPN alto, usos de uso general de baja frecuencia del amplificador | SANYO |
| 53827 | 2SC3071 | HFE del transistor planar epitaxial del silicio de NPN alto, usos de uso general de baja frecuencia del amplificador | SANYO |
| 53828 | 2SC3072 | Usos medios del amplificador de energía del tipo del silicio NPN del transistor (proceso del PCT) del estroboscópico de los usos epitaxial del flash | TOSHIBA |
| 53829 | 2SC3073 | PROCESO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 53830 | 2SC3073 | PROCESO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 53831 | 2SC3073 | PROCESO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 53832 | 2SC3074 | Usos actuales epitaxial de la conmutación del tipo del silicio NPN del transistor altos (proceso del PCT) | TOSHIBA |
| 53833 | 2SC3075 | El silicio NPN del transistor triplica de conmutación difundido del tipo (proceso del PCT) el regulador y los usos del convertidor de C.C.-CA de los usos del convertidor de C.C.-C.C. de los usos de la conmutación del alto voltaje | TOSHIBA |
| 53834 | 2SC3076 | Los usos epitaxial del amplificador de energía del tipo del silicio NPN del transistor (proceso del PCT) accionan usos de la conmutación | TOSHIBA |
| 53835 | 2SC3077 | Si plana NPN. Amplificador de UHF, mezclador. | Panasonic |
| 53836 | 2SC3080 | 2SC3080 | ROHM |
| 53837 | 2SC3080 | 2SC3080 | ROHM |
| 53838 | 2SC3080 | 2SC3080 | ROHM |
| 53839 | 2SC3080M | 2SC3080 | ROHM |
| 53840 | 2SC3080M | 2SC3080 | ROHM |
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