| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 912961 | MTP30P06V | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 912962 | MTP30P06V-D | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios De P-Canal To-220 | ON Semiconductor |
| 912963 | MTP30P06VG | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 912964 | MTP33N10 | Fet de la ENERGÍA de TMOS 33 AMPERIOS 100 VOLTIOS De RDS(on) = 0,06 OHMIOS | Motorola |
| 912965 | MTP33N10E | Fet de la ENERGÍA de TMOS 33 AMPERIOS 100 VOLTIOS De RDS(on) = 0,06 OHMIOS | Motorola |
| 912966 | MTP33N10E | Energía NChannel de los Spp | ON Semiconductor |
| 912967 | MTP33N10E-D | Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOS | ON Semiconductor |
| 912968 | MTP36N06 | Fet de la ENERGÍA de TMOS 32 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,04 OHMIOS | Motorola |
| 912969 | MTP36N06V | Fet de la ENERGÍA de TMOS 32 AMPERIOS 60 VOLTIOS De RDS(on) = 0,04 OHMIOS | Motorola |
| 912970 | MTP36N06V | Mosfet De la Energía 32 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 912971 | MTP36N06V-D | Mosfet De la Energía 32 Amperios, 60 Voltios De N-Canal To-220 | ON Semiconductor |
| 912972 | MTP3N100 | N-canal FET de potencia TMOS. 1000 V, 3 A, RDS (on) 4 Ohm. | Motorola |
| 912973 | MTP3N100E | Fet de la ENERGÍA de TMOS 3,0 AMPERIOS 1000 VOLTIOS De RDS(on) = 4,0 OHMIOS | Motorola |
| 912974 | MTP3N100E-D | Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOS | ON Semiconductor |
| 912975 | MTP3N120E | Fet de la ENERGÍA de TMOS 3,0 AMPERIOS 1200 VOLTIOS De RDS(on) = 5,0 OHMIOS | Motorola |
| 912976 | MTP3N120E-D | Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De Efecto De Campo De la Energía Del E-E-fet de TMOS | ON Semiconductor |
| 912977 | MTP3N25E | Fet de la ENERGÍA de TMOS 3,0 AMPERIOS 250 VOLTIOS De RDS(on) = 1,4 OHMIOS | Motorola |
| 912978 | MTP3N35 | MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 3.0 A, 350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 912979 | MTP3N40 | MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 3.0 A, 350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 912980 | MTP3N50 | Fet de la ENERGÍA de TMOS 3,0 AMPERIOS 500 VOLTIOS De RDS(on) = 3,0 OHMIOS | Motorola |
| 912981 | MTP3N50E | Fet de la ENERGÍA de TMOS 3,0 AMPERIOS 500 VOLTIOS De RDS(on) = 3,0 OHMIOS | Motorola |
| 912982 | MTP3N50E | 3 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 500 | ON Semiconductor |
| 912983 | MTP3N50E-D | Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal del Fet De la Energía De la Alta Energía Del E-E-fet de TMOS | ON Semiconductor |
| 912984 | MTP3N60 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 912985 | MTP3N60 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 912986 | MTP3N60 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 912987 | MTP3N60E | Fet de la ENERGÍA de TMOS 3,0 AMPERIOS 600 VOLTIOS De RDS(on) = 2,2 OHMIOS | Motorola |
| 912988 | MTP3N60E | 3 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 600 | ON Semiconductor |
| 912989 | MTP3N60E-D | Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal del Fet De la Energía De la Alta Energía Del E-E-fet de TMOS | ON Semiconductor |
| 912990 | MTP3N60FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
| 912991 | MTP3N60FI | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 912992 | MTP3N60FI | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 912993 | MTP40N10E | Fet de la ENERGÍA de TMOS 40 AMPERIOS 100 VOLTIOS De RDS(on) = 0,04 OHMIOS | Motorola |
| 912994 | MTP40N10E | Mosfet De la Energía 40 Amperios, 100 Voltios | ON Semiconductor |
| 912995 | MTP40N10E-D | Mosfet De la Energía 40 Amperios, 100 Voltios De N-Canal To-220 | ON Semiconductor |
| 912996 | MTP45N05E | TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE LA ENERGÍA DE TMOS IV | Motorola |
| 912997 | MTP4N08 | MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 5.5 A, 60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 912998 | MTP4N10 | MOSFETs De la Energía Del N-Canal, 5.5 A, 60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 912999 | MTP4N40E | Fet de la ENERGÍA de TMOS 4,0 AMPERIOS 400 VOLTIOS De RDS(on) = 1,8 OHMIOS | Motorola |
| 913000 | MTP4N40E | OBSOLETO - 4 Amp TO-220AB, canal N, el VDSS 400 | ON Semiconductor |
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