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2N6761 Fabricado cerca: |
MOSFETs/4.Ä/450V/500V De la Energía Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: 2N6762, |
Transferencia Directa 2N6761 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. | Transferencia Directa 2N6761 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 118 kb |
2N6760 | Vista 2N6761 a nuestro catálogo | 2N6762 |