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Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 3.0A.

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General Electric Solid State
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Opinión todos los datasheets de Intersil2.Å y 3.Á/350V y 400V/mOSFETs de la energía de 1,8 y 2,5 ohmios/N-Canal Transferencia Directa IRF320 datasheet de
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Opinión todos los datasheets de Samsung ElectronicMOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal Transferencia Directa IRF320 datasheet de
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Opinión todos los datasheets de Fairchild SemiconductorEnergía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/350-400 V

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IRF3007SVista IRF320 a nuestro catálogoIRF320-323



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