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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
6101KM416V256DJ-7256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 70ns, 3.3VSamsung Electronic
6102KM416V256DLJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą veloce pagina, 50ns, 3.3V, capacitą di auto-aggiornamentoSamsung Electronic
6103KM416V256DLJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą veloce pagina, 60ns, 3.3V, capacitą di auto-aggiornamentoSamsung Electronic
6104KM416V256DLJ-7256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą veloce pagina, 70ns, 3.3V, capacitą di auto-aggiornamentoSamsung Electronic
6105KM416V256DLT-5256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą veloce pagina, 50ns, 3.3V, capacitą di auto-aggiornamentoSamsung Electronic
6106KM416V256DLT-6256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą veloce pagina, 60ns, 3.3V, capacitą di auto-aggiornamentoSamsung Electronic
6107KM416V256DLT-7256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą veloce pagina, 70ns, 3.3V, capacitą di auto-aggiornamentoSamsung Electronic
6108KM416V256DT-5256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 50ns, 3.3VSamsung Electronic
6109KM416V256DT-6256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 60ns, 3.3VSamsung Electronic
6110KM416V256DT-7256K x 16 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 70ns, 3.3VSamsung Electronic
6111KM416V4000BRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
6112KM416V4000BS-454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45nsSamsung Electronic
6113KM416V4000BS-54M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6114KM416V4000BS-64M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6115KM416V4000BS-L454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6116KM416V4000BS-L54M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 50ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6117KM416V4000BS-L64M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 60ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6118KM416V4000CRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
6119KM416V4000CS-454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45nsSamsung Electronic
6120KM416V4000CS-54M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6121KM416V4000CS-64M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6122KM416V4000CS-L454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6123KM416V4000CS-L54M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 50ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6124KM416V4000CS-L64M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 60ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6125KM416V4004BRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
6126KM416V4004BS-454M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 45nsSamsung Electronic
6127KM416V4004BS-54M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6128KM416V4004BS-64M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6129KM416V4004BSL-454M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 50ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6130KM416V4004BSL-54M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 50ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6131KM416V4004BSL-64M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 60ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6132KM416V4004CRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
6133KM416V4004CS-454M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 45nsSamsung Electronic
6134KM416V4004CS-504M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6135KM416V4004CS-604M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6136KM416V4004CS-L454M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 45ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6137KM416V4004CS-L504M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 50ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6138KM416V4004CS-L604M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 60ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6139KM416V4100BRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
6140KM416V4100BS-454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45nsSamsung Electronic
6141KM416V4100BS-54M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6142KM416V4100BS-64M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6143KM416V4100BS-L454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6144KM416V4100BS-L54M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 50ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6145KM416V4100BS-L64M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 60ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6146KM416V4100CRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
6147KM416V4100CS-454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45nsSamsung Electronic
6148KM416V4100CS-54M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6149KM416V4100CS-64M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6150KM416V4100CS-L454M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 45ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6151KM416V4100CS-L54M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 50ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6152KM416V4100CS-L64M x 16bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, alimentazione 3.3V, 60ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6153KM416V4104BRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
6154KM416V4104BS-454M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 45nsSamsung Electronic
6155KM416V4104BS-54M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6156KM416V4104BS-64M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6157KM416V4104BSL-454M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 45ns, bassa potenzaSamsung Electronic



6158KM416V4104BSL-54M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 50ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6159KM416V4104BSL-64M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 60ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6160KM416V4104CRAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
6161KM416V4104CS-45RAM dinamica di 4M x 16bit CMOS con i dati estesi fuoriSamsung Electronic
6162KM416V4104CS-504M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6163KM416V4104CS-604M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6164KM416V4104CS-L454M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 45ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6165KM416V4104CS-L504M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 50ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6166KM416V4104CS-L604M x 16bit RAM CMOS dinamico con dati estesi fuori, alimentazione 3.3V, 60ns, bassa potenzaSamsung Electronic
6167KM418RD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6168KM418RD16AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6169KM418RD16AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6170KM418RD16C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6171KM418RD16D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6172KM418RD2AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6173KM418RD2AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6174KM418RD2C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6175KM418RD2D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6176KM418RD32AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6177KM418RD32AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6178KM418RD32C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6179KM418RD32D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6180KM418RD4AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6181KM418RD4AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6182KM418RD4C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6183KM418RD4D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6184KM418RD8AC128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
6185KM418RD8AC(D)-RG60128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6186KM418RD8AC(D)-RK70128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6187KM418RD8AC(D)-RK80128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6188KM418RD8AC-RG60256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 53.3 ns, velocitą: 600 Mbps (300 MHz).Samsung Electronic
6189KM418RD8AC-RK70256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 45 ns, velocitą: 711 Mbps (356 MHz).Samsung Electronic
6190KM418RD8AC-RK80256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 45 ns, velocitą: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
6191KM418RD8AD128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
6192KM418RD8AD-RG60256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 53.3 ns, velocitą: 600 Mbps (300 MHz).Samsung Electronic
6193KM418RD8AD-RK70256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 45 ns, velocitą: 711 Mbps (356 MHz).Samsung Electronic
6194KM418RD8AD-RK80256K x 18 x 32s banche dipendenti RDRAM diretta. Tempo di accesso: 45 ns, velocitą: 800 Mbps (400 MHz).Samsung Electronic
6195KM418RD8C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6196KM418RD8D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 serie dipendenti del bit x di 2*16 dirigono RDRAMTMSamsung Electronic
6197KM41C4000DRAM dinamica di CMOS del 1Bit di 4M x con il modo veloce della paginaSamsung Electronic
6198KM41C4000DJ-54M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 16 ms di aggiornamento, 50nsSamsung Electronic
6199KM41C4000DJ-64M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 16 ms di aggiornamento, 60nsSamsung Electronic
6200KM41C4000DJ-74M x 1 bit CMOS RAM dinamica con la modalitą pagina veloce, 5V, 16 ms di aggiornamento, 70nsSamsung Electronic

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