| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 881841 | MJE182 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881842 | MJE182 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 881843 | MJE182 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 881844 | MJE182 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 881845 | MJE182 | PODER TRANSISTORS(3.0A, 40-80V, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881846 | MJE182 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 3 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE 60-80 VOLTS 12.5 WATTS | Motorola |
| 881847 | MJE182 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881848 | MJE182 | Poder 3A 80V NPN | ON Semiconductor |
| 881849 | MJE182 | 12.500W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 80V, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881850 | MJE182 | 60 V, 3 A, transistor NPN de silício epitaxial | Samsung Electronic |
| 881851 | MJE18204 | TRANSISTOR de PODER 5 AMPÈRES 1200 VOLTS 35 e 75 WATTS | Motorola |
| 881852 | MJE18204 | SWITCHMODE ™ NPN Bipolar Transistor de potência de luz Reator eletrônico e aplicações de comutação da fonte de alimentação | ON Semiconductor |
| 881853 | MJE18204-D | Transistor de poder bipolar de SWITCHMODE NPN para TRANSISTOR de PODER claros eletrônicos das aplicações da fonte de alimentação do reator e do switching 5 AMPÈRES 1200 VOLTS 35 e 75 WATTS | ON Semiconductor |
| 881854 | MJE18206 | TRANSISTOR de PODER 8 AMPÈRES 1200 VOLTS 40 e 100 WATTS | Motorola |
| 881855 | MJE18206 | SWITCHMODE ™ NPN Bipolar Transistor de potência de luz Reator eletrônico e aplicações de comutação da fonte de alimentação | ON Semiconductor |
| 881856 | MJE182STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881857 | MJE18604 | TRANSISTOR DE PODER 3 AMPÈRES 1600 VOLTS 100 WATTS | Motorola |
| 881858 | MJE18604D2 | TRANSISTOR DE PODER 3 AMPÈRES 1600 VOLTS 100 WATTS | Motorola |
| 881859 | MJE200 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881860 | MJE200 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 5 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE 25 VOLTS 15 WATTS | Motorola |
| 881861 | MJE200 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881862 | MJE200 | Poder 5A 25V NPN | ON Semiconductor |
| 881863 | MJE200 | 40 V, 5 A, transistor NPN de silício epitaxial | Samsung Electronic |
| 881864 | MJE200-D | Transistor Complementares Do Plástico Do Poder Do Silicone | ON Semiconductor |
| 881865 | MJE200STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881866 | MJE200TSTU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881867 | MJE210 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881868 | MJE210 | TRANSISTOR DO SILICONE PNP | ST Microelectronics |
| 881869 | MJE210 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 5 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE 25 VOLTS 15 WATTS | Motorola |
| 881870 | MJE210 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881871 | MJE210 | Poder 5A 25V PNP | ON Semiconductor |
| 881872 | MJE210 | -40 V, -5 A, transistor PNP epitaxial de silício | Samsung Electronic |
| 881873 | MJE210 | SILICONE PNP TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 881874 | MJE210STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881875 | MJE210T | Poder 5A 25V PNP | ON Semiconductor |
| 881876 | MJE220 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Central Semiconductor |
| 881877 | MJE220 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Central Semiconductor |
| 881878 | MJE221 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Central Semiconductor |
| 881879 | MJE221 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Central Semiconductor |
| 881880 | MJE222 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Central Semiconductor |
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