| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 881961 | MJE3055T | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 881962 | MJE3055T | PODER TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881963 | MJE3055T | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE | Wing Shing Computer Components |
| 881964 | MJE3055T | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE DE 10 AMPÈRES 60 VOLTS 75 WATTS | Motorola |
| 881965 | MJE3055T | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881966 | MJE3055T | Poder 10A 60V NPN Discreto | ON Semiconductor |
| 881967 | MJE3055T | Transistor De Poder Plástico de NPN | Continental Device India Limited |
| 881968 | MJE3055T | 70 V, 10 A, transistor NPN de silício | Samsung Electronic |
| 881969 | MJE3055T | NPN, silício transistor de potência plástico. Concebidos para comutação de propósito geral e aplicação amplificador. VCEO (sus) = 60V DC, Vcb = 70Vdc, o VEB = 5Vdc, Ic = 10Adc, Pd = 75W. | USHA India LTD |
| 881970 | MJE3055TTU | Transistor Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881971 | MJE340 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881972 | MJE340 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 881973 | MJE340 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE COMPLEMETARY | SGS Thomson Microelectronics |
| 881974 | MJE340 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 881975 | MJE340 | SILICONE DO TRANSISTOR DE PODER NPN DE 0.5 AMPÈRE 300 VOLTS 20 WATTS | Motorola |
| 881976 | MJE340 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881977 | MJE340 | Transistor Médio Plástico Do Silicone Do Poder NPN | ON Semiconductor |
| 881978 | MJE340 | 20.000W High Voltage NPN plástico com chumbo Transistor. 300V VCEO, 0.500A Ic, 30-240 hFE. MJE350 Complementar | Continental Device India Limited |
| 881979 | MJE340 | 300 V, 500 A, transistor NPN de silício epitaxial | Samsung Electronic |
| 881980 | MJE340-D | Transistor Médio Plástico Do Silicone Do Poder NPN | ON Semiconductor |
| 881981 | MJE340STU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881982 | MJE341 | SILICONE DOS TRANSISTOR DE PODER NPN DE 0.5 AMPÈRE 150-200 VOLTS 20 WATTS | Motorola |
| 881983 | MJE341 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881984 | MJE3439 | SILICONE DO TRANSISTOR DE PODER NPN DE 0.3 AMPÈRE 350 VOLTS 15 WATTS | Motorola |
| 881985 | MJE3439 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881986 | MJE3439 | Ç$a 350V NPN Do Poder | ON Semiconductor |
| 881987 | MJE3439-D | Transistor De Poder Da Elevado-Tensão Do Silicone de NPN | ON Semiconductor |
| 881988 | MJE344 | SILICONE DOS TRANSISTOR DE PODER NPN DE 0.5 AMPÈRE 150-200 VOLTS 20 WATTS | Motorola |
| 881989 | MJE344 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881990 | MJE344 | Ç$a 200V NPN Do Poder | ON Semiconductor |
| 881991 | MJE344-D | Transistor Plástico Do Meio-Poder Do Silicone de NPN | ON Semiconductor |
| 881992 | MJE3440 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | ST Microelectronics |
| 881993 | MJE3440 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881994 | MJE3440 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881995 | MJE350 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881996 | MJE350 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 881997 | MJE350 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 881998 | MJE350 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE COMPLEMETARY | SGS Thomson Microelectronics |
| 881999 | MJE350 | SILICONE DO TRANSISTOR DE PODER PNP DE 0.5 AMPÈRE 300 VOLTS 20 WATTS | Motorola |
| 882000 | MJE350 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| | | |
