| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 881921 | MJE253 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881922 | MJE253 | Poder 4A 100V PNP | ON Semiconductor |
| 881923 | MJE254 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | Central Semiconductor |
| 881924 | MJE254 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | Central Semiconductor |
| 881925 | MJE270 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DE UM PODER DARLINGTON DE 2.0 AMPÈRES 100 VOLTS 15 WATTS | Motorola |
| 881926 | MJE270 | Poder 2A 100V NPN Complementar | ON Semiconductor |
| 881927 | MJE270 | Poder 2A 100V NPN Complementar | ON Semiconductor |
| 881928 | MJE270 | 15.000W Darlington NPN plástico com chumbo Transistor. 100V VCEO, 4.000A Ic, 500 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881929 | MJE270-D | Transistor De Poder Complementares NPN Do Silicone | ON Semiconductor |
| 881930 | MJE271 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DE UM PODER DARLINGTON DE 2.0 AMPÈRES 100 VOLTS 15 WATTS | Motorola |
| 881931 | MJE271 | Poder 2A 100V PNP | ON Semiconductor |
| 881932 | MJE271 | Poder 2A 100V PNP | ON Semiconductor |
| 881933 | MJE2801 | PODER TRANSISTORS(10A /60V /75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 881934 | MJE2801T | PODER TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881935 | MJE2801T | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881936 | MJE2901T | PODER TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881937 | MJE2901T | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881938 | MJE2955 | PODER TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881939 | MJE2955-G | Transistor General Purpose, V CBO = -70V, V CEO = -60V, V EBO = -5V, I C = -10 | Comchip Technology |
| 881940 | MJE2955T | Transistor Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881941 | MJE2955T | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 881942 | MJE2955T | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 881943 | MJE2955T | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 881944 | MJE2955T | PODER TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881945 | MJE2955T | C.C. PLANAR DO AMPLIFICADOR DE PODER DO SILICONE TRANSISTOR(AUDIO DE PNP AO CONVERSOR DA C.C.) | Wing Shing Computer Components |
| 881946 | MJE2955T | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE | Wing Shing Computer Components |
| 881947 | MJE2955T | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE DE 10 AMPÈRES 60 VOLTS 75 WATTS | Motorola |
| 881948 | MJE2955T | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 881949 | MJE2955T | Poder 10A 60V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 881950 | MJE2955T | 75.000W Médio Poder PNP plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 10.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881951 | MJE2955T | V -70, -10 A, o transistor PNP de silício | Samsung Electronic |
| 881952 | MJE2955T | PNP, silício transistor de potência plástico. Concebidos para comutação de propósito geral e aplicação amplificador. VCEO = 60VDC, Vcb = 70Vdc, o VEB = 5Vdc Ic = 10Adc, PD = 75W. | USHA India LTD |
| 881953 | MJE2955T-D | Transistor De Poder Plásticos Do Silicone Complementar | ON Semiconductor |
| 881954 | MJE2955TTU | Transistor Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881955 | MJE3055 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE | Wing Shing Computer Components |
| 881956 | MJE3055 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE DE 10 AMPÈRES 60 VOLTS 75 WATTS | Motorola |
| 881957 | MJE3055 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 881958 | MJE3055T | Transistor Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881959 | MJE3055T | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 881960 | MJE3055T | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
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