|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29149 | 29150 | 29151 | 29152 | 29153 | 29154 | 29155 | 29156 | 29157 | 29158 | 29159 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
1166121STHH2003CRВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ВТОРИЧНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ТОКАSGS Thomson Microelectronics
1166122STHV748Quad ± 90 В, ± 2 А, 3/5 уровни, высокоскоростной ультразвуковой генератор импульсовST Microelectronics
1166123STHV748QTRQuad ± 90 В, ± 2 А, 3/5 уровни, высокоскоростной ультразвуковой генератор импульсовST Microelectronics
1166124STHV749Quad ± 90 В, ± 2 А, ± 4, 3, 5, 7 уровня РТЗ, высокоскоростной ультразвуковой генератор импульсовST Microelectronics
1166125STHV749LQuad ± 90 В, ± 2 А, ± 4, 3, 5, 7 уровня РТЗ, высокоскоростной ультразвуковой генератор импульсовST Microelectronics
1166126STHV800Octal ± 90 В, ± 2 А, 3-х уровневый РТЗ, высокоскоростной ультразвуковой генератор импульсовST Microelectronics
1166127STHV800LOctal ± 90 В, ± 2 А, 3-х уровневый РТЗ, высокоскоростной ультразвуковой генератор импульсовST Microelectronics
1166128STHVDAC-253MАнтенна Тюнинг цепиST Microelectronics
1166129STHVDAC-253MF3Антенна Тюнинг цепиST Microelectronics
1166130STHVDAC-303Высокое напряжение контроллера BST емкостьST Microelectronics
1166131STHVDAC-303C6Высокое напряжение контроллера BST емкостьST Microelectronics
1166132STHVDAC-303F6Высокое напряжение контроллера BST емкостьST Microelectronics
1166133STHVDAC-303IC6Высокое напряжение контроллера BST емкостьST Microelectronics
1166134STHVDAC-303IF6Высокое напряжение контроллера BST емкостьST Microelectronics
1166135STHVDAC-304MВысокое напряжение контроллера BST емкостьST Microelectronics
1166136STHVDAC-304MC3Высокое напряжение контроллера BST емкостьST Microelectronics
1166137STHVDAC-304MF3Высокое напряжение контроллера BST емкостьST Microelectronics
1166138STI10NM60NN-канальный 600 В, 0,53 Ом, 10, I2PAK MDmesh (TM) II Мощность MOSFETST Microelectronics
1166139STI11NM80N-канальный 800 В, 0,35 Ом, 11 MDmesh (TM) Мощность MOSFET в I2PAKST Microelectronics
1166140STI12N65M5N-канальный 650 В, 0,39 Ом, 8,5 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET I2PAKST Microelectronics
1166141STI13005-1Высокое напряжение быстрой коммутации NPN транзистор питанияST Microelectronics
1166142STI13005-HВысокое напряжение быстрой коммутации NPN транзистор питанияST Microelectronics
1166143STI13NM60NN-канальный 600 В, 0,28 Ом тип., 11 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAK пакетаST Microelectronics
1166144STI14NM50NN-канальный 500 В, 0,28 Ом, 12 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в I2PAK пакетаST Microelectronics
1166145STI150N10F7N-канальный 100 В, 0.0036 Ом тип., 110, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в I2PAK пакетаST Microelectronics
1166146STI18N65M5N-канальный 650 В, 0,198 Ом тип., 15 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в I2PAK пакетаST Microelectronics
1166147STI20N65M5N-канальный 650 В, 0,160 Ом тип., 18 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в I2PAK пакетаST Microelectronics
1166148STI21N65M5N-канальный 650 В, 0,150 Ом, 17 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в I2PAKST Microelectronics
1166149STI24N60M2N-канальный 600 В, 0,168 Ом тип., 18 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg питания MOSFET в D2PAK пакетаST Microelectronics
1166150STI24NM60NN-канальный 600 В, 0,168 Ом, 17 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET I2PAKST Microelectronics
1166151STI260N6F6N-канальный 60 V, 0,0024 Ом, 120 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в I2PAK пакетаST Microelectronics
1166152STI270N4F3N-канальный 40 В, 2,1 мОм ном., 160 STripFET (TM) III PowerMOSFET в I2PAK пакетаST Microelectronics
1166153STI300N4F6N-канальный 40 В, 1,7 мОм, 160, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в I2PAK пакетаST Microelectronics
1166154STI3220ОБРАБОТЧИК ОЦЕНКИ ДВИЖЕНИЯST Microelectronics
1166155STI3220ОБРАБОТЧИК ОЦЕНКИ ДВИЖЕНИЯST Microelectronics
1166156STI32N65M5N-канальный 650 В, 0,095 Ом, 24, MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в I2PAKST Microelectronics
1166157STI33N60M2N-канальный 600 В, 0,108 Ом тип., 26 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg Полевые транзисторы в I2PAK пакетаST Microelectronics
1166158STI34N65M5N-канальный 650 В, 0,09 Ом тип., 28 MDmesh (TM) V Мощность MOSFET в I2PAK пакетаST Microelectronics
1166159STI3500AДЕШИФРАТОР ВИДЕОЕГО MPEG-2/CCIR 601ST Microelectronics
1166160STI3500ACVMPEG-2 / CCIR 601 видеодекодерSGS Thomson Microelectronics
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 29149 | 29150 | 29151 | 29152 | 29153 | 29154 | 29155 | 29156 | 29157 | 29158 | 29159 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com