|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 1212 | 1213 | 1214 | 1215 | 1216 | 1217 | 1218 | 1219 | 1220 | 1221 | 1222 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
486412N6338PUISSANCE TRANSISTOR(2ä, 200w)MOSPEC Semiconductor
486422N6338TRANSISTORS de SILICIUM de NPN De haute puissanceBoca Semiconductor Corporation
486432N6338Transistor De Silicium De la Puissance Élevée NPNON Semiconductor
486442N6338-DTransistors De haute puissance De Silicium de NPNON Semiconductor
486452N6339PUISSANCE TRANSISTOR(2ä, 200w)MOSPEC Semiconductor
486462N6339TRANSISTORS de SILICIUM de NPN De haute puissanceBoca Semiconductor Corporation
486472N6339SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE NPNON Semiconductor
486482N6340PUISSANCE TRANSISTOR(2ä, 200w)MOSPEC Semiconductor
486492N6340TRANSISTORS de SILICIUM de NPN De haute puissanceBoca Semiconductor Corporation
486502N6340SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE NPNON Semiconductor
486512N6341Transistor de NPNMicrosemi
486522N6341PUISSANCE TRANSISTOR(2ä, 200w)MOSPEC Semiconductor
486532N6341TRANSISTORS de SILICIUM de NPN De haute puissanceBoca Semiconductor Corporation
486542N6341Puissance 2Ä 150V NPN DiscretON Semiconductor
486552N6342Thyristors Bidirectionnels De Triode De Silicium de TRIACSMotorola
486562N6342AUn triac 12 de silicium. 200 V.General Electric Solid State
486572N6343Thyristors Bidirectionnels De Triode De Silicium de TRIACSMotorola
486582N6343AUn triac 12 de silicium. 400 V.General Electric Solid State



486592N6344Thyristors Bidirectionnels De Triode De Silicium de TRIACSMotorola
486602N6344TriacsON Semiconductor
486612N6344-DThyristors Bidirectionnels De SiliciumON Semiconductor
486622N6344ATriacsON Semiconductor
486632N6344AUn triac 12 de silicium. 600 V.General Electric Solid State
486642N6344A-DTriacs Bidirectionnels De Thyristors De SiliciumON Semiconductor
486652N6345Thyristors Bidirectionnels De Triode De Silicium de TRIACSMotorola
486662N6345AUn triac 12 de silicium. 800 V.General Electric Solid State
486672N6346Thyristors Bidirectionnels De Triode De Silicium de TRIACSMotorola
486682N6346AUn triac 12 de silicium. 200 V.General Electric Solid State
486692N6347Thyristors Bidirectionnels De Triode De Silicium de TRIACSMotorola
486702N6347AUn triac 12 de silicium. 400 V.General Electric Solid State
486712N6348Thyristors Bidirectionnels De Triode De Silicium de TRIACSMotorola
486722N6348ATriacsON Semiconductor
486732N6348AUn triac 12 de silicium. 600 V.General Electric Solid State
486742N6349Thyristors Bidirectionnels De Triode De Silicium de TRIACSMotorola
486752N6349Thyristors Bidirectionnels De SiliciumON Semiconductor
486762N6349ATriacsON Semiconductor
486772N6349AUn triac 12 de silicium. 800 V.General Electric Solid State
486782N6350Transistor de NPN DarlingtonMicrosemi
486792N6351Transistor de NPN DarlingtonMicrosemi
486802N6352Transistor de NPN DarlingtonMicrosemi
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 1212 | 1213 | 1214 | 1215 | 1216 | 1217 | 1218 | 1219 | 1220 | 1221 | 1222 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com