| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 48801 | 2N6430 | 0.500W usage général NPN métal peut transistor. 200V VCEO, 0.050A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48802 | 2N6431 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 48803 | 2N6432 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 48804 | 2N6433 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 48805 | 2N6436 | PUISSANCE TRANSISTORS(2ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48806 | 2N6436 | TRANSISTORS de SILICIUM de PNP De haute puissance | Boca Semiconductor Corporation |
| 48807 | 2N6437 | PUISSANCE TRANSISTORS(2ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48808 | 2N6437 | TRANSISTORS de SILICIUM de PNP De haute puissance | Boca Semiconductor Corporation |
| 48809 | 2N6437 | SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE PNP | ON Semiconductor |
| 48810 | 2N6437-D | Transistors De haute puissance De Silicium de PNP | ON Semiconductor |
| 48811 | 2N6438 | PUISSANCE TRANSISTORS(2ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48812 | 2N6438 | TRANSISTORS de SILICIUM de PNP De haute puissance | Boca Semiconductor Corporation |
| 48813 | 2N6438 | SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE PNP | ON Semiconductor |
| 48814 | 2N6439 | TRANSISTOR DE PUISSANCE | Tyco Electronics |
| 48815 | 2N6439 | 60 W, 225 à 400 mégahertz ONT COMMANDÉ LE SILICIUM À BANDE LARGE du TRANSISTOR de PUISSANCE du °Q± rf NPN | Motorola |
| 48816 | 2N6439 | 60 W, le transistor de puissance NPN RF de silicium | MA-Com |
| 48817 | 2N6449 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 48818 | 2N6449 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 48819 | 2N6450 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 48820 | 2N6450 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 48821 | 2N6451 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 48822 | 2N6452 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 48823 | 2N6453 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 48824 | 2N6453 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 48825 | 2N6454 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 48826 | 2N6454 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 48827 | 2N6461 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
| 48828 | 2N6462 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 48829 | 2N6462 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 48830 | 2N6463 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
| 48831 | 2N6464 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 48832 | 2N6465 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48833 | 2N6465 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 48834 | 2N6466 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48835 | 2N6467 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48836 | 2N6467 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
| 48837 | 2N6467 | Silicon PNP de transistor de moyenne puissance. -110V, 40W. | General Electric Solid State |
| 48838 | 2N6468 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
| 48839 | 2N6468 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48840 | 2N6468 | Silicon PNP de transistor de moyenne puissance. -130V, 40W. | General Electric Solid State |
| | | |
